[发明专利]具有垂直双极注入器的DRAM存储器单元

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

具有连接到源极线(SL)的源极(S)、连接到位线(BL)的漏极(D)和位于源极和漏极之间的浮体(FB)的水平FET晶体管，

被控制为将电荷注入FET晶体管的浮体中的注入器，所述注入器包括双极型晶体管，所述双极型晶体管具有连接到注入线的发射极(15，25，35)、基极和由FET晶体管的浮体形成的集电极，

所述单元的特征在于，双极型晶体管的发射极被设置为发射极/源极组件形成垂直堆叠，FET晶体管的源极作为双极型晶体管的基极。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中注入线在存储器单元的表面下方延伸。

3.根据权利要求1或2所述的存储器单元，其中发射极(15，35)结合到源极中。

4.根据权利要求3所述的存储器单元，其中发射极(15)设置在源极的底部区域中。

5.根据权利要求4所述的存储器单元，其中源极包括强掺杂中心区(21)和围绕所述中心区的弱掺杂边缘区(22)，其中发射极(15)设置在源极(22)的边缘区中，在源极的中心区(21)下方。

6.根据权利要求3所述的存储器单元，其中发射极(35)设置在源极的顶部区域中。

7.根据权利要求6所述的存储器单元，其中源极包括弱掺杂顶部区域(32)和设置在顶部区域下的强掺杂底部区域(31)，以及其中发射极结合在顶部区域中。

8.根据权利要求7所述的存储器单元，其中源极的底部区域(31)设置在埋入绝缘层(BOX)下方，并通过延伸穿过绝缘层的连接通道(33)连接到源极的顶部区域(32)。

9.根据权利要求1或2所述的存储器单元，其中发射极(25)设置在源极下方。

10.根据权利要求9所述的存储器单元，其中发射极(25)设置埋入绝缘层(BOX)下方，并通过延伸穿过绝缘层的连接通道(23)连接到源极(21，22)。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的存储器单元，其中FET晶体管还包括凹入在浮体中并通过介电层与浮体绝缘的栅极电极。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的存储器单元，其中发射极包括导电性与源极的导电性相反的掺杂半导体材料。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的存储器单元，制造在绝缘体上半导体衬底上。

14.根据权利要求1至12中任一项所述的存储器单元，其中FET晶体管形成在制造在体衬底的顶部中的井中。

15.一种存储器单元，包括：

具有源极、漏极和位于源极和漏极之间的浮体的FET晶体管，

被控制为将电荷注FET晶体管的浮体中的注入器，所述注入器包括双极型晶体管，所述双极型晶体管具有发射极、基极和由FET晶体管的浮体形成的集电极，

所述单元的特征在于，发射极连接到在存储器单元的表面下方延伸的注入线。

16.一种包括多个根据权利要求1至15中任一项所述的存储器单元的存储器阵列。

17.根据权利要求16所述的存储器阵列，包括耦合到沿着阵列的列的每个存储器单元的源极的源极线(SL)，以及平行于源极线的耦合到沿着所述列的每个存储器单元的发射极的注入线(IL)。

18.一种控制根据权利要求1至15中任一项所述的存储器单元的方法，其特征在于，通过向FET晶体管的栅极施加额定写入电压，通过向FET晶体管的漏极施加小于或等于额定写入电压的电压以及通过向注入器施加正电压来编程逻辑1状态。

19.根据权利要求17所述的方法，其中在单元读取操作中，向FET晶体管的栅极施加额定写入电压的一部分。