[发明专利]Al基合金溅射靶有效
| 申请号： | 201010522145.X | 申请日： | 2010-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102041479A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 松本克史;岩崎祐纪;高木敏晃;长尾护;莳野秀忠;小林宣裕;奥野博行;钉宫敏洋;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C22C21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | al 合金 溅射 | ||
1.一种Al基合金溅射靶，其含有从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种，和从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种，其特征在于，
测量在与所述溅射靶的轧制面垂直的截面中、与轧制方向平行的面中的轧制方向的晶粒直径时，平均晶粒直径为500μm以下，并且最大晶粒直径为1500μm以下。
2.根据权利要求1所述的Al基合金溅射靶，其特征在于，
所述A组的总含量为0.05原子％以上、2.5原子％以下，并且，
所述B组的总含量为0.1原子％以上、1原子％以下。
3.根据权利要求1所述的Al基合金溅射靶，其特征在于，还含有从由Cu和Ge构成的C组中选出的至少一种。
4.根据权利要求3所述的Al基合金溅射靶，其特征在于，所述C组的总含量为0.1原子％以上、1原子％以下。
5.根据权利要求1所述的Al基合金溅射靶，其特征在于，还含有Ti和B。
6.根据权利要求5所述的Al基合金溅射靶，其特征在于，Ti含量为0.0002原子％以上、0.012原子％以下，B含量为0.0002原子％以上、0.012原子％以下。
7.根据权利要求1所述的Al基合金溅射靶，其特征在于，从所述A组只选择Ni，从所述B组只选择Nd。
8.根据权利要求1所述的Al基合金溅射靶，其特征在于，从所述A组只选择Ni，从所述B组只选择La。
9.根据权利要求3所述的Al基合金溅射靶，其特征在于，从所述A组只选择Ni，从所述B组只选择Nd，从所述C组只选择Ge。
10.根据权利要求1所述的Al基合金溅射靶，其特征在于，维氏硬度Hv为26以上。
11.一种使用权利要求1～10中任一项所述的Al基合金溅射靶而得到的Al基合金膜，其特征在于，其与透明导电膜直接连接。
12.根据权利要求11所述的Al基合金膜，其特征在于，含有：从由Ni和Co构成的A组中选出的至少一种、从由La和Nd构成的B组中选出的至少一种、从由Cu和Ge构成的C组中选出的至少一种、和Ti及B；
Ti含量为0.0004原子％以上、0.008原子％以下，B含量为0.0004原子％以上、0.008原子％以下。
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