[发明专利]一种用于微波频段的穿硅同轴线的制造方法

权利要求书

1.一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光敏BCB，经过光刻得到同轴线的电镀图形，然后使用BCB键合工艺将硅片(1)和(2)的A面对准并低温键合；使用化学机械抛光工艺将硅片(1)的B面研磨至露出通孔，电镀同轴线；最后将硅片(2)从B面磨掉，去除种子层金属。

2.按权利要求1所述的方法，其特征在于制作步骤包括：

(a)在硅片(1)的A面上制备孔洞

通过深反应离子刻蚀工艺在硅片(1)的A面形成深度小于硅片厚度的高纵深比垂直硅同轴线通孔；

(b)在硅片(2)的A面形成同轴线电镀图形

①使用溅射或蒸发的方法在硅片(2)的A面淀积一层金属种子层TiW和Au；

②然后涂覆一层1～2μm的光敏BCB层，并光刻在BCB上形成电镀图形；

(c)硅片(1)和(2)键合

将硅片(1)和硅片(2)的A面的同轴线图形对准并键合；

(d)将硅片(1)的B面研磨出同轴线通孔

使用CMP工艺研磨硅片(1)的B面直至将步骤(a)制作的同轴线通孔全部露出；

(e)电镀通孔

将同轴线通孔电镀直至与硅片(1)的B面相平，形成同轴线；

(f)从硅片(2)的B面开始研磨，露出同轴线

从硅片(2)的B面使用CMP工艺直至同轴线和硅片(1)的A面完全露出。

3.按权利要求1或2的方法，其特征在于所述的同轴线通孔的深度＜400μm。

4.按权利要求3所述的方法，其特征在于同轴线通孔的纵深比＞10。

5.按权利要求2所述的方法，其特征在于步骤b种子层中TiW厚度为Au为

6.按权利要求1或2所述的方法，其特征在于硅片(1)和硅片(2)的A面低温键合的温度为200℃。