[发明专利]一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺

权利要求书

1.一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，其特征在于，首先对硅片进行化学预处理形成绒面结构，接着对硅片进行高温磷扩散或硼扩散形成p-n结结构，再用酸性化学液去除磷硅玻璃或硼硅玻璃，接着对硅片非腐蚀面的p-n结进行介质膜保护，再用酸性化学液去除非保护面即腐蚀面的自然氧化层或腐蚀面的介质膜材料，然后采用碱性化学液对腐蚀面的p-n结或绒面结构进行化学反应腐蚀，最后对硅片上的介质膜和硅片腐蚀面进行有效的清洗，保留介质膜作为晶体硅太阳电池的功能薄膜。

2.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，其特征在于，所述的硅片为p型或n型单晶硅片或多晶硅片，硅片电阻率为0.1～20Ω·cm，厚度为50～500μm。

3.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，其特征在于，所述的绒面结构为金字塔绒面结构、倒金字塔绒面结构、椭圆凹坑绒面结构、长条状凹坑绒面结构或多孔硅绒面结构。

4.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，其特征在于，所述的高温磷扩散或硼扩散的扩散温度为500～1100℃。

5.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，其特征在于，所述的酸性化学液为氢氟酸化学液或氢氟酸和盐酸、硫酸或硝酸的混合酸性化学液，其中氢氟酸的重量浓度为1％～50％，盐酸、硫酸和硝酸的重量浓度为0％～30％。

6.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，其特征在于，所述的介质膜为氮化硅膜、二氧化硅膜、二氧化钛膜、氧化铝膜、氧化锌膜和氟化镁膜中的一种介质膜或几种介质膜的复合膜，膜的总厚度为2～200nm。

7.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，其特征在于，所述的碱性化学液为无机碱化学液或有机碱化学液或无机碱化学液和有机碱化学液的混合液，无机碱化学液或有机碱化学液的重量浓度为2％～30％，腐蚀温度为10～100℃。

8.根据权利要求7所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，其特征在于，所述的无机碱化学液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、碳酸钾溶液、碳酸钠溶液、磷酸钾溶液和磷酸钠溶液中的一种或几种的混合液；所述的有机碱化学液为乙醇胺溶液、四甲基氢氧化铵溶液、甲醇钠溶液和乙醇钾溶液中的一种或几种的混合液。

9.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，其特征在于，所述的有效清洗为去离子水清洗或先进行盐酸溶液清洗然后进行去离子水清洗的两步法清洗，去离子水的电阻率为0.1～18MΩ·cm，盐酸溶液的重量浓度为2％～30％。

10.根据权利要求1所述的应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺，其特征在于，所述的功能薄膜是指对硅片具有表面钝化功能或体钝化功能或减少表面反射功能或同时具有这三种功能两个以上的介质薄膜。