[发明专利]液晶配向制程有效
申请号: | 201010522751.1 | 申请日: | 2010-10-20 |
公开(公告)号: | CN101968589A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 苏峻纬;连詹田 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 孙长龙 |
地址: | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 | ||
1.一种液晶配向制程,其特征在于,包含:
提供一第一基板及一第二基板,并于该两基板间形成一液晶容置空间;
灌注一液晶组合物于该液晶容置空间,该液晶组合物包含液晶分子、一第一单体材料及一第二单体材料;
于该两基板间施加电压,使所述液晶分子以一预倾角排列;以及
利用混合多波段的光线进行曝光制程,以使该第一单体材料及该第二单体材料分别产生聚合反应,而于该两基板相对的表面形成液晶配向聚合物。
2.如权利要求1所述的液晶配向制程,其特征在于,于曝光进行的步骤中,所述混合多波段的光线同时照射该第一单体材料及该第二单体材料。
3.如权利要求1所述的液晶配向制程,其中于曝光进行的步骤中,仅使用一道曝光制程来聚合该第一单体材料及该第二单体材料。
4.如权利要求1所述的液晶配向制程,其特征在于,
于曝光进行的步骤中,所述混合多波段的光线包含位于该第一单体材料的吸收波长范围内的波段,或包含位于该第二单体材料的吸收波长范围内的波段,或
于曝光进行的步骤中,所述混合多波段的光线中至少有两个波段其照射的时间长短不同。
5.如权利要求1所述的液晶配向制程,其特征在于,该第一单体材料及该第二单体材料分别为具有亲水基结构及具有亲油基结构的高分子单体,该第一单体材料为具短链、极性的高分子单体,该第二单体材料为具长链、非极性的高分子单体。
6.如权利要求1所述的液晶配向制程,其特征在于,该液晶组合物还包含一聚合起始剂,于曝光进行的步骤中,所述混合多波段的光线包含位于该聚合起始剂的吸收波长范围内的波段。
7.如权利要求1所述的液晶配向制程,其特征在于,该液晶组合物还包含一聚合起始剂,于曝光进行的步骤中,所述混合多波段的光线包含位于该第一单体材料的吸收波长范围内的波段及位于该聚合起始剂的吸收波长范围内的波段,或包含位于该第二单体材料的吸收波长范围内的波段及位于该聚合起始剂的吸收波长范围内的波段。
8.一种液晶配向制程,其特征在于,包含:
提供一第一基板及一第二基板,并于该两基板间形成一液晶容置空间;
灌注一液晶组合物于该液晶容置空间,该液晶组合物包含液晶分子、一第一单体材料、一第二单体材料及一聚合起始剂;
于该两基板间施加电压,使所述液晶分子以一预倾角排列;以及
利用混合多波段的光线进行曝光制程,以使该第一单体材料及该第二单体材料分别产生聚合反应,该第二单体材料聚合产生一第二聚合物配向层形成于该两基板相对的表面上,该第一单体材料聚合产生一第一聚合物配向层形成于该第二聚合物配向层的表面上。
9.如权利要求8所述的液晶配向制程,其特征在于,于曝光进行的步骤中,所述混合多波段的光线同时照射该第一单体材料、该第二单体材料及该聚合起始剂。
10.如权利要求8所述的液晶配向制程,其特征在于,于曝光进行的步骤中,仅使用一道曝光制程来聚合该第一单体材料及该第二单体材料。
11.如权利要求8所述的液晶配向制程,其特征在于,于曝光进行的步骤中,所述混合多波段的光线包含位于该第一单体材料的吸收波长范围内的波段,或包含位于该第二单体材料的吸收波长范围内的波段,或包含位于该聚合起始剂的吸收波长范围内的波段。
12.如权利要求8所述的液晶配向制程,其特征在于,于曝光进行的步骤中,所述混合多波段的光线中至少有两个波段其照射的时间长短不同。
13.如权利要求8所述的液晶配向制程,其特征在于,该第二聚合物配向层稳固附着在该两基板上,该第一聚合物配向层由复数个侧链接构形成,所述侧链接构的一端固定在该第二聚合物配向层,并用以限制所述液晶分子,使其以该预倾角排列。
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