[发明专利]有机发光二极管显示器无效
申请号: | 201010522785.0 | 申请日: | 2010-10-20 |
公开(公告)号: | CN102074568A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 丁憙星;朴顺龙 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 陈万青;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
基板主体;
所述基板主体上的有机发光二极管;和
所述有机发光二极管上的覆盖层,其中所述覆盖层包括具有折射率不同的至少两层的膜。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述膜是至少一层高折射膜与至少一层低折射膜的交替叠层。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中所述高折射膜位于所述覆盖层距离所述有机发光二极管最远的顶层。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中所述高折射膜具有大于或等于1.7且小于2.7的折射率。
5.如权利要求4所述的有机发光二极管显示器,其中所述高折射膜由无机材料和有机材料中的至少一种制成。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述无机材料包括氧化锌、氧化钛、氧化锆、氧化硅、氧化铌、氧化钽、氧化锡、氧化镍、氮化铟和氮化镓中的至少一种。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其中所述有机材料是聚合物。
8.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中所述低折射膜具有大于1.3且小于1.7的折射率。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器,其中所述低折射膜包括无机材料和有机材料中的至少一种。
10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器,其中所述无机材料包括氧化硅和氟化镁中的至少一种。
11.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器,其中所述有机材料是聚合物。
12.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,进一步包括封装基板,所述封装基板粘附并密封所述基板主体,以覆盖所述有机发光二极管,所述封装基板与所述有机发光二极管之间具有分隔空间。
13.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器,在所述封装基板与所述有机发光二极管之间的所述分隔空间内进一步包括气体。
14.如权利要求13所述的有机发光二极管显示器,其中所述气体的折射率低于所述高折射膜的折射率。
15.如权利要求12所述的有机发光二极管显示器,在所述封装基板与所述有机发光二极管之间的所述分隔空间中进一步包括非气体填充物。
16.如权利要求15所述的有机发光二极管显示器,其中所述非气体填充物的折射率低于所述高折射膜的折射率。
17.如权利要求16所述的有机发光二极管显示器,其中所述非气体填充物由有机材料制成。
18.如权利要求17所述的有机发光二极管显示器,其中所述有机材料是聚合物。
19.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述有机发光二极管包括:
第一电极;
所述第一电极上的有机发光层;和
在所述有机发光层上且相对最邻接所述覆盖层布置的第二电极,其中所述第二电极由透明材料和半透半反材料之一制成。
20.如权利要求18所述的有机发光二极管显示器,其中所述第一电极由反射层形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的