[发明专利]LED印刷电路板及其非晶金刚石散热绝缘膜层的制备方法

权利要求书

1.LED印刷电路板，其特征在于它包括印刷电路板(1)、非晶金刚石散热绝缘膜层(2)、铜制电路层(3)，在印刷电路板(1)和铜制电路层(3)之间添加非晶金刚石散热绝缘膜层(2)。

2.根据权利要求1所述的LED印刷电路板，其特征在于非晶金刚石散热绝缘膜层(2)为利用过滤阴极真空电弧系统在印刷电路板的表面沉积的富sp³杂化的非晶金刚石薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的LED印刷电路板，其特征在于非晶金刚石散热绝缘膜层(2)的厚度是0.5～2μm。

4.用于权利要求1所述的LED印刷电路板的非晶金刚石散热绝缘膜层制备方法，其特征在于具体过程如下：

步骤一、清洗：用去离子水将需制备非晶金刚石散热绝缘膜层的LED印刷电路板在超声波清洗机中清洗，取出后用电吹风吹干；

步骤二、刻蚀：在本底真空度为1.5～4.0×10-6Torr时，注入纯度为99.99％的氩气，使真空度上升至1.0～2.0×10-4Torr，用考夫曼离子枪刻蚀LED印刷电路板的非晶金刚石沉积面，刻蚀后将卡盘转至沉积工作区；

步骤三、沉积：采用不同负偏压交替沉积碳离子，逐渐形成由低应力亚膜层与高sp³杂化含量亚膜层交替构筑而成的非晶金刚石薄膜的散热绝缘双功效膜层，每个亚膜层厚度控制在100nm～200nm之间。

5.根据权利要求4所述的非晶金刚石散热绝缘膜层制备方法，其特征在于步骤一用超声波清洗机清洗的时间为10～30min。

6.根据权利要求4所述的非晶金刚石散热绝缘膜层制备方法，其特征在于步骤二用考夫曼离子枪刻蚀LED印刷电路板的非晶金刚石沉积面4～7min，刻蚀1～2次，工作氩气流量为8ml/min，刻蚀氩粒子能量为400～800eV，刻蚀后应间歇5～15min。

7.根据权利要求4所述的非晶金刚石散热绝缘膜层制备方法，其特征在于步骤三沉积的过程中，每沉积100～300s，间歇5～15min；衬底负偏压采用直流脉冲形式，梯度变化的范围为3600V至80V的任意变化区间，脉冲频率为100～1500Hz，脉冲宽度为5～25μs，对应的电弧电流为50～70A。

8.根据权利要求4或7所述的非晶金刚石散热绝缘膜层制备方法，其特征在于步骤三沉积的过程中，在初始的1～2次沉积时，衬底偏压的变化范围为3600V～2000V，总沉积时间100～1000s，脉冲频率为100～1500Hz，脉冲宽度为5～25μs，对应的电弧电流为50～70A，在最后一次沉积时，衬底偏压的变化范围为100V～80V，沉积时间100～500s，脉冲频率为100～1500Hz，脉冲宽度为5～25μs，对应的电弧电流为50～70A，基层与顶层之间由低应力与高sp³杂化含量的亚膜层交替构筑而成。

9.根据权利要求8所述的非晶金刚石散热绝缘膜层制备方法，其特征在于第2次沉积之后至顶层沉积之前的多个膜层的沉积参数交替采用最后一次沉积时的参数和初次沉积时的参数，衬底偏压上下浮动范围为10％。