[发明专利]振荡器和使用了它的信息设备、压控振荡器和使用了它的信息设备

权利要求书

1.一种压控振荡器，其特征在于：

包括

增益生成电路，生成进行振荡所需要的增益；

谐振电路，能够根据第1频率控制信号组，使谐振频率发生变化，

上述增益生成电路，包括

负电导生成电路，生成作为对交流电压的负电流增益的负电导；

K个端子，用于根据负电导控制信号组来控制上述生成的负电导，其中K为正整数。

2.根据权利要求21所述的压控振荡器，其特征在于：

上述第1频率控制信号组，包括

第2频率控制信号组，用于使上述谐振电路的谐振频率连续地发生变化；

第3频率控制信号组，用于使上述谐振电路的谐振频率梯段地发生变化。

3.根据权利要求2所述的压控振荡器，其特征在于：

上述谐振电路，为由电感器和电容构成的LC谐振电路，

根据上述第2频率控制信号组，使上述电感器的电感、上述电容的电容值、或者上述两者连续地发生变化；

根据上述第3频率控制信号组，使上述电感器的电感、上述电容的电容值、或者上述两者梯段地发生变化。

4.根据权利要求3所述的压控振荡器，其特征在于：

输入到上述负电导控制信号组的控制信号，为通过了被输入上述第3频率控制信号组的一部分或者全部的信号处理电路的控制信号；

上述控制信号，依照频率的阶段性的变化来控制上述负电导生成电路生成的负电导。

5.根据权利要求4所述的压控振荡器，其特征在于：

上述负电导生成电路，包括

第1负电导生成部，具有第1PMOS晶体管和第2PMOS晶体管；

第2负电导生成部，具有第1NPN晶体管和第2NPN晶体管；以及

电流源电路，

上述第1PMOS晶体管和上述第2PMOS晶体管，其源极电极被共用并与第1电压端子连接，

上述第1PMOS晶体管的漏极电极与上述第2PMOS晶体管的栅极电极连接，

上述第2PMOS晶体管的漏极电极与上述第1PMOS晶体管的栅极电极连接，

上述第1NPN晶体管和上述第2NPN晶体管的射极电极被共用，且该射极电极经由上述电流源电路与第2电压端子连接，

上述第1NPN晶体管的集电极电极，经由第1电容耦合用电容与上述第2NPN晶体管的基极电极连接，

上述第2NPN晶体管的集电极电极，经由第2电容耦合用电容与上述第1NPN晶体管的基极电极连接，

上述第1PMOS晶体管的漏极电极，与上述第1NPN晶体管的集电极电极连接，并且与上述谐振电路的第1电极连接，

上述第2PMOS晶体管的漏极电极，与上述第2NPN晶体管的集电极电极连接，并且与上述谐振电路的第2电极连接，

通过输入到上述负电导控制信号组的控制信号，控制上述第1负电导生成部生成的负电导。

6.根据权利要求5所述的压控振荡器，其特征在于：

上述第1负电导生成部，

K个第1负电导控制用PMOS晶体管连接在上述第1PMOS晶体管的漏极电极与源极电极之间，其中K为正整数，

第1开关连接在上述K个第1负电导控制用PMOS晶体管的栅极电极与漏极电极之间，第2开关连接在上述K个第1负电导控制用PMOS晶体管的栅极电极与源极电极之间，

K个第2负电导控制用PMOS晶体管连接在上述第2PMOS晶体管的漏极电极与源极电极之间，其中K为正整数，

第3开关连接在上述K个第2负电导控制用PMOS晶体管的栅极电极与漏极电极之间，第4开关连接在上述K个第2负电导控制用PMOS晶体管的栅极电极与源极电极之间，

上述第1至第4开关根据上述负电导控制信号组进行开和关。

7.根据权利要求6所述的压控振荡器，其特征在于：

上述第1至第4开关根据PMOS晶体管构成。