[发明专利]阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成栅金属薄膜，在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括第一厚度区域、第二厚度区域和完全去除区域的光刻胶图案，所述第一厚度区域的光刻胶图案至少位于栅线区域上方，所述第二厚度区域的光刻胶图案位于栅线引线连接区域上方，且第一厚度小于第二厚度；

进行刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的栅金属薄膜，形成包括栅线、栅电极和栅线引线的图案，并按照所述第一厚度区域光刻胶的第一厚度灰化去除光刻胶；

在形成上述图案的衬底基板上连续沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源漏金属薄膜，在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，形成包括第三厚度区域、第四厚度区域和完全去除区域的光刻胶图案，所述第三厚度区域的光刻胶图案至少位于源漏电极区域和数据线引线连接区域上方，所述第四厚度区域的光刻胶图案位于沟道区域上方，且第四厚度小于第三厚度；

进行刻蚀，刻蚀掉完全去除区域对应的半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜和源漏金属薄膜，并按照所述第四厚度区域光刻胶的第四厚度灰化去除光刻胶；进行刻蚀，刻蚀掉沟道区域的源漏金属薄膜和部分有源层薄膜，形成TFT沟道；并将剩余的光刻胶图案以及栅线引线连接区域上方的栅金属薄膜和光刻胶剥离；

在形成上述图案的衬底基板上通过光刻工艺形成像素电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成上述图案的衬底基板上通过光刻工艺形成像素电极，包括：

在形成上述图案的衬底基板上沉积透明电极层，在所述透明电极层上涂覆光刻胶，采用单色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，至少形成位于像素电极区域上方、栅线引线连接区域上方以及数据线引线连接区域上方的光刻胶图案；

进行刻蚀，形成像素电极的图案；

在形成像素电极之后，还包括：

在形成上述图案的衬底基板上形成保护层薄膜，并将光刻胶剥离。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅金属薄膜，包括：

采用溅射或热蒸发的方法在所述衬底基板上沉积厚度为500～4000的栅金属薄膜。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成上述图案的衬底基板上连续沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源漏金属薄膜，包括：

采用化学气相沉积方法，在所述衬底基板上依次沉积厚度为1000～6000的栅绝缘层薄膜、厚度为1000～6000的半导体层薄膜、厚度为200～1000的掺杂半导体层薄膜，然后采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为1000～7000的源漏金属薄膜。

5.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一厚度为0.5～2微米，所述第二厚度为1～4微米，所述第三厚度为1～2微米，所述第四厚度为0.5～2微米。

6.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，形成在位于像素电极区域上方、栅线引线连接区域上方以及数据线引线连接区域上方的光刻胶图案的厚度为1～2微米。

7.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成上述图案的衬底基板上形成保护层薄膜，包括：

采用化学气相沉积方法，在所述衬底基板上沉积厚度为1000～6000的保护层薄膜。

8.一种阵列基板，所述阵列基板上形成有导电图案和像素电极，所述导电图案至少包括栅线、数据线、有源层、源电极和漏电极，其特征在于，所述像素电极和所述漏电极直接连接。