[发明专利]含金属卟啉-三苯胺有机半导体材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201010523782.9 | 申请日: | 2010-10-28 |
公开(公告)号: | CN102453233A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 周明杰;黄杰;刘贻锦 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | C08G61/12 | 分类号: | C08G61/12;C09K11/06;H01L51/46;H01L51/54;H01L51/30;H01S5/36 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 卟啉 苯胺 有机半导体 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机半导体材料,更具体的涉及一种含金属卟啉-三苯胺有机半导体材料。
本发明还涉及含金属卟啉-三苯胺有机半导体材料的制备方法及其应用。
背景技术
利用廉价材料制备低成本、高效能的太阳能电池一直是光伏领域的研究热点和难点。目前用于地面的硅晶电池由于生产工艺复杂、成本高,使其应用受到限制。为了降低电池成本,拓展应用范围,长期以来人们一直在寻找新型的太阳能电池材料。有机半导体材料以其原料易得、廉价、制备工艺简单、环境稳定性好、有良好的光伏效应等优点备受关注。自1992年N.S.Sariciftci等在SCIENCE(N.S Sariciftci,L.Smilowitz,A.J.Heeger,et al.Science,1992,258,1474)上报道共轭聚合物与C60之间的光诱导电子转移现象后,人们在聚合物太阳能电池方面投入了大量研究,并取得了飞速的发展,但是仍比无机太阳能电池的转换效率低得多。限制性能提高的主要制约因素有:有机半导体材料的光谱响应与太阳辐射光谱不匹配,有机半导体相对较低的载流子迁移率以及较低的载流子的电极收集效率等。为了使聚合物太阳能电池得到实际的应用,开发新型的材料,大幅度提高其能量转换效率仍是这一研究领域的首要任务。
卟啉分子是在卟吩环上连有取代基的一类大环化合物的总称,卟吩是由四个吡咯环和四个次甲基桥联起来的单双键交替的平面结构大环离域π电子共轭体系。它们电荷转移和能量转移反应的量子效率较高,具有良好的电子缓冲性和光电磁性,良好的刚柔性和较好热稳定性和环境稳定性。因此,卟啉类有机半导体材料是一类很有前途的材料,其在光伏领域的应用已得到广泛研究。元素周期表中几乎所有的金属和一些非金属元素都可以与卟啉作用形成配合物。在这些化合物中,包括了大部分的主族和副族金属元素,一些镧系金属(Pr,Eu,Yb等)也己经合成。由于卟啉是具有18个π电子的大共轨体系,其环内电子流动性非常好,因此,大多数含金属卟啉化合物都有较好的光电性质。
三苯胺类化合物因具有良好的光学性能和p型载流子传输性能而被广泛的应用到有机光电等领域。通过设计具有特定HOMO能级的空穴传输材料或在现有材料基础上引入给/吸电子基团改变HOMO能级可以实现传输材料与电荷产生材料的有效匹配。三苯胺类化合物在电场作用下能够形成胺离子自由基,具有较高的空穴迁移率。引入烷基、烷氧基或其他取代基可改善三苯胺类化合物的溶解性,方便成膜,降低器件制备成本。除此之外,由于苯环之间的空间相互作用,三苯胺呈现出非平面的几何构型,三苯胺及其衍生物的空间构型介于平面构型和各向同性的四面体构型之间。这种准三维的立体构型,可以阻止分子间紧密的π堆积,进而减少了这类衍生物形成晶体的可能。因此,三苯胺类化合物以其较好的给电子性、较低的离子化电位较高的空穴迁移率、较好的溶解性与无定形成膜性与光稳定性成为研究的热点之一。
近年来,含硅共轭聚合物在光电功能材料的研究中也受到越来越多的重视。一方面是由于硅原子以化学键形式结合到基于碳氢氮硫的传统共轭聚合物中,能显著改变聚合物的电子结构和分子状态,从而调控聚合物的光电性能;另一方面,硅是一种广泛应用于现代电子电器等行业的无机功能材料,含硅共轭聚合物作为一种有机-无机杂化材料具有很高的研究和开发价值。硅芴是良好的光电基团,具有很好的热稳定性,以及较低的最低未占有轨道(LUMO)和较高的三线态能级,从而具有较高的电子亲和力和较高的电子注入和传输能力,并可以用作主体材料。
然而含有硅芴的含金属卟啉-三苯胺的有机半导体材料至今仍没有文献和专利报道,这就大大限制了有机半导体材料的应用范围。。
发明内容
本发明的目的在于提供一种含金属卟啉-三苯胺有机半导体材料,其可以解决上述问题。
本发明的目的还在于提供该含金属卟啉-三苯胺有机半导体材料的制备方法及其应用。
本发明所涉及的含金属卟啉-三苯胺有机半导体材料,具有以下结构(I):
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