[发明专利]芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法无效
| 申请号： | 201010523965.0 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101986175A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 童利民;马哲;张奚宁;郭欣;杨青;马耀光 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/10 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 集成 金属 纳米 表面 等离子体 激发 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法，其特征在于，该方法为：将金属纳米线的一端放置于激光二极管芯片的出光面，在该端激发表面等离子体并使其在金属纳米线中传输。金属纳米线的另一端作为光信号的输出端。
2.根据权利要求1所述的芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法，其特征在于，所述的金属纳米线直径可以为50～1000nm。
3.根据权利要求1所述的芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法，其特征在于，所述的激光二极管芯片，为普通商用激光二极管，中心波长可以为400nm～2000nm。
4.根据权利要求1所述的芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法，其特征在于，该方法以激光二极管芯片的端面作为衬底。
5.根据权利要求1所述的芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法，其特征在于，所述的金属纳米线的输出端光信号强度依赖于金属纳米线与激光二极管出光区的夹角。
6.根据权利要求1所述的芯片集成式金属纳米线的表面等离子体激发方法，其特征在于，所述的金属纳米线可以为单根或多根结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010523965.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种开关电源电路
- 下一篇：新型环保节能汽车轮式电动发电机
