[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括基板、第一n型氮化镓层、连接层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层、p型电极及n型电极，所述第一n型氮化镓层形成在所述基板上，其具有一个远离所述基板的第一表面，该第一表面包括一个第一区域和一个第二区域，所述连接层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层和p型电极依次形成于所述第一区域上，所述n型电极形成在所述第二区域上，所述连接层能够被减性溶液蚀刻，所述第二n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓，且该底面有裸露的粗化表面。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二区域环绕所述第一区域。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述n型电极为环绕所述第一区域的框形电极。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一n型氮化镓层的第一表面为正常极化氮化镓。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述连接层的材质选自氮化铝、二氧化硅或氮化硅。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述连接层的厚度范围为5纳米-1000纳米。

7.一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：

提供一基板；

在所述基板上依次成长形成第一n型氮化镓层、连接层、第二n型氮化镓层、发光层和p型氮化镓层；

蚀刻所述p型氮化镓层、发光层、第二n型氮化镓层和连接层直至裸露出部分第一n型氮化镓层；

采用碱性溶液蚀刻掉部分所述连接层，裸露出第二n型氮化镓层面向连接层的底面的一部分，并采用所述碱性溶液对裸露出的第二n型氮化镓层的底面进行蚀刻以形成粗化表面；及

在p型氮化镓层上形成p型电极及在所述第一n型氮化镓层的裸露区域上形成n型电极。

8.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第一n型氮化镓层的裸露区域位于第一n型氮化镓层远离所述基板的表面，该裸露区域环绕所述连接层。

9.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述碱性溶液为强碱性溶液。

10.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述连接层的厚度范围为5纳米-1000纳米。