[发明专利]半导体器件及使用该半导体器件的显示装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其含有薄膜晶体管，所述半导体器件包括：

所述薄膜晶体管的栅极电极；

栅极绝缘膜，它形成得覆盖着所述栅极电极；

有机半导体层，它形成在所述栅极绝缘膜上，作为含有所述薄膜晶体管的源极区域、通道区域和漏极区域的层；

结构体，它形成在所述有机半导体层上；

源极电极，它起始于所述栅极绝缘膜的某一端上表面，并终止于在所述结构体外侧的位置处的作为所述有机半导体层的某一端上表面的上表面；

漏极电极，它起始于所述栅极绝缘膜的另一端上表面，并终止于在所述结构体外侧的位置处的作为所述有机半导体层的另一端上表面的上表面；以及

电极材料层，它形成在所述结构体上，并由与所述源极电极及所述漏极电极相同的材料制成。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述结构体具有倒悬形状，所述倒悬形状具有在所述有机半导体层侧的表面和在所述电极材料层侧的表面；并且

在所述有机半导体层侧的所述表面的面积小于在所述电极材料层侧的所述表面的面积。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，所述结构体具有倒锥形式的倒悬形状，所述倒锥形式具有倾斜的侧壁面。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述结构体具有被形成为堆叠结构的倒悬形状，所述堆叠结构具有包括下层和上层的多个层；并且

所述下层的侧壁所处的侧边位置比所述上层的侧壁所处的侧边位置更靠内。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，用于形成所述结构体的所述堆叠结构的所述多个层中的每一层都由绝缘材料制成。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中，在用于形成所述结构体的所述堆叠结构的所述多个层中，所述下层由金属或半导体制成，而所述上层由绝缘层制成。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，在所述有机半导体层与所述结构体的所述下层之间形成有绝缘膜。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述源极电极和所述漏极电极延伸至所述绝缘膜的端部上表面。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有机半导体层整个地被所述结构体、所述源极电极和所述漏极电极覆盖着。

10.一种显示装置，其包括：含有薄膜晶体管的半导体器件、含有所述半导体器件的底板、以及用于显示图像的显示面板，

其中，所述半导体器件具体使用了如下构成部分：

所述薄膜晶体管的栅极电极；

栅极绝缘膜，它形成得覆盖着所述栅极电极；

有机半导体层，它形成在所述栅极绝缘膜上，作为含有所述薄膜晶体管的源极区域、通道区域和漏极区域的层；

结构体，它形成在所述有机半导体层上；

源极电极，它起始于所述栅极绝缘膜的某一端上表面，并终止于在所述结构体外侧的位置处的作为所述有机半导体层的某一端上表面的上表面；

漏极电极，它起始于所述栅极绝缘膜的另一端上表面，并终止于在所述结构体外侧的位置处的作为所述有机半导体层的另一端上表面的上表面；以及

电极材料层，它形成在所述结构体上，并由与所述源极电极及所述漏极电极相同的材料制成。