[发明专利]固体摄像器件、其制造方法和设计方法以及电子装置无效
申请号: | 201010524890.8 | 申请日: | 2010-10-29 |
公开(公告)号: | CN102110695A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 出羽恭子;冈崎裕美;北野良昭 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 冯丽欣;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 制造 方法 设计 以及 电子 装置 | ||
1.一种固体摄像器件,所述固体摄像器件包括:
半导体基板,它包括为各个像素分别设置的光电二极管,所述各个像素在光接收面上呈矩阵状布置;
第一绝缘膜,它形成在所述半导体基板上,覆盖着形成在所述半导体基板上并与所述半导体基板接触的多层布线,并且所述第一绝缘膜是使用这样的材料形成的:所述材料具有至少在所述第一绝缘膜的底面部分和顶面部分处小于所述半导体基板的折射率的第一折射率;
第二绝缘膜,它形成在所述第一绝缘膜上,并具有大于第一折射率的第二折射率;
第三绝缘膜,它形成在所述第二绝缘膜上,并具有大于第二折射率的第三折射率;以及
滤色器,它以与所述各个像素对应的方式形成在所述第三绝缘膜上,并透射红色、绿色或蓝色波长区域的光,
其中,用于具有红色、绿色或蓝色滤色器的像素的所述第二绝缘膜的厚度和/或第二折射率与用于其他像素的所述第二绝缘膜的厚度和/或第二折射率不同,以便减小所述半导体基板的表面处的反射光与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间的界面处的反射光以及所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜之间的界面处的反射光之间的光学干涉强度的变化。
2.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述第三绝缘膜为由氮化硅制成的保护膜。
3.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,对于具有红色、绿色和蓝色滤色器的像素,所述第二绝缘膜具有不同的厚度。
4.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,用于具有红色、绿色和蓝色滤色器中的任两种滤色器的像素的所述第二绝缘膜的厚度和/或第二折射率被设定为,使所述半导体基板的表面处的反射光与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间的界面处的反射光以及所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜之间的界面处的反射光之间的光学干涉强度的变化减小。
5.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,对具有红色、绿色和蓝色滤色器中的任两种滤色器的像素,所述第二绝缘膜的厚度和/或第二折射率相等。
6.如权利要求1所述的固体摄像器件,
其中,用于具有红色滤色器的像素的所述第二绝缘膜的厚度与用于具有绿色滤色器的像素的所述第二绝缘膜的厚度的差为:红光波长/4-绿光波长/4,并且
用于具有绿色滤色器的像素的所述第二绝缘膜的厚度与用于具有蓝色滤色器的像素的所述第二绝缘膜的厚度的差为:绿光波长/4-蓝光波长/4。
7.一种制造固体摄像器件的方法,所述方法包括如下步骤:
分别为各个像素形成光电二极管,所述各个像素在半导体基板的光接收面上呈矩阵状布置;
在所述半导体基板上形成与所述半导体基板接触的多层布线,并在所述半导体基板上形成第一绝缘膜,所述第一绝缘膜覆盖所述多层布线,并且所述第一绝缘膜是使用这样的材料形成的:所述材料具有至少在所述第一绝缘膜的底面部分和顶面部分处小于所述半导体基板的折射率的第一折射率;
在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜,所述第二绝缘膜具有大于第一折射率的第二折射率;
在所述第二绝缘膜上形成第三绝缘膜,所述第三绝缘膜具有大于第二折射率的第三折射率;以及
以与所述各个像素对应的方式在所述第三绝缘膜上形成滤色器,所述滤色器透射红色、绿色或蓝色波长区域的光,
其中,在形成所述第二绝缘膜的步骤中,使用于具有红色、绿色或蓝色滤色器的像素的所述第二绝缘膜的厚度和/或第二折射率与用于其他像素的所述第二绝缘膜的厚度和/或第二折射率不同,以便减小所述半导体基板的表面处的反射光与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间的界面处的反射光以及所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜之间的界面处的反射光之间的光学干涉强度的变化。
8.如权利要求7所述的方法,其中,在形成所述第二绝缘膜的步骤中,对全部像素以相同厚度形成所述第二绝缘膜,并且除去所述第二绝缘膜的一部分,使得用于具有红色、绿色或蓝色滤色器的像素的所述第二绝缘膜的厚度与用于其他像素的所述第二绝缘膜的厚度不同。
9.如权利要求7所述的方法,其中,在形成所述第二绝缘膜的步骤中,将所述第二绝缘膜形成为层叠绝缘膜,并且除去用于具有红色、绿色或蓝色滤色器的像素的所述层叠绝缘膜的一部分,使得用于该像素的所述第二绝缘膜的厚度与用于其他像素的所述第二绝缘膜的厚度不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的