[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
申请号: | 201010524956.3 | 申请日: | 2010-10-29 |
公开(公告)号: | CN102456786A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 许嘉麟 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/18 | 分类号: | H01L33/18;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种发光二极管,其包括依次叠置的基板、第一电极、缓冲层、发光层以及第二电极,其中,该第一电极由位于该基板上的铝掺杂氧化锌薄膜所构成,该缓冲层为氧化锌纳米线阵列,该发光层由依次层迭的N型氮化镓纳米线阵列以及P型氮化镓纳米线阵列所构成,该第二电极包覆在该P型氮化镓纳米线阵列的顶端,该发光二极管还包括一填充于该第一电极以及第二电极之间的绝缘体。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:该基板为玻璃基板或者金属基板。
3.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:该第二电极为ITO电极。
4.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:该绝缘体为二氧化硅。
5.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:该氧化锌纳米线为单晶纳米线。
6.一种发光二极管的制作方法,其包括如下步骤:
提供一基板;
在该基板上制备铝掺杂氧化锌薄膜;
蚀刻该铝掺杂氧化锌薄膜以形成第一电极;
在该第一电极上生长氧化锌纳米线阵列;
在该氧化锌纳米线阵列上生长氮化镓纳米线发光层;
镀绝缘体层以填埋覆盖该生长有该氧化锌纳米线阵列以及氮化镓纳米线发光层的基板,并使该氮化镓纳米线发光层的端头露出以定义出第二电极区域;
在该第二电极区域制备第二电极。
7.如权利要求6所述的发光二极管的制作方法,其特征在于:该氮化镓发光层包括沿该氧化锌纳米线的延伸方向依次生长的N型氮化镓纳米线阵列以及P型氮化镓纳米线阵列。
8.如权利要求6所述的发光二极管的制作方法,其特征在于:该基板为玻璃基板或者金属基板。
9.如权利要求6所述的发光二极管的制作方法,其特征在于:该铝掺杂氧化锌薄膜采用射频溅镀法制成。
10.如权利要求6所述的发光二极管的制作方法,其特征在于:该氧化锌纳米线阵列以及氮化镓系纳米线阵列均采用化学气相沉积法制成。
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