[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

具有电介质窗的处理容器；

配置在所述电介质窗之外的线圈形状的RF天线；

在所述处理容器内保持被处理基板的基板保持部；

为了对所述被处理基板实施所希望的等离子体处理，向所述处理容器内供给所希望的处理气体的处理气体供给部；

为了在所述处理容器内通过感应耦合生成处理气体的等离子体，向所述RF天线供给适合于处理气体的高频放电的一定频率的高频电力的高频供电部；

处于电浮动状态，配置在通过电磁感应能够与所述RF天线耦合的位置，且位于所述处理容器之外的浮动线圈；和

在所述浮动线圈的环内设置的电容器。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述浮动线圈被配置为与所述RF天线同轴。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述浮动线圈被配置在与所述RF天线相同的平面上。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述浮动线圈被沿着径向配置在所述RF天线的内侧或外侧。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述浮动线圈具有所述RF天线的1/3～3倍的半径。

6.如权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

当令所述浮动线圈的电阻为R，所述浮动线圈与所述RF天线之间的互感系数为M，所述高频的频率为f时，2πfM＞R。

7.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述浮动线圈具有与所述RF天线相似的形状。

8.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述浮动线圈在径向夹着所述RF天线且跨越所述RF天线的内侧和外侧地配置。

9.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述浮动线圈被配置在所述浮动线圈与所述RF天线相对于所述处理容器内的所述基板保持部为相等距离的位置。

10.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述浮动线圈在圆周方向上被分割为多个线圈段。

11.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质窗形成所述处理容器的顶壁，

所述RF天线和所述浮动线圈均被载置在所述电介质窗之上。

12.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质窗形成所述处理容器的顶壁，

所述RF天线被载置在所述电介质窗之上，

所述浮动线圈被配置在离开所述电介质窗且比所述RF天线高的位置。

13.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质窗形成所述处理容器的侧壁，

所述RF天线被配置在所述处理容器的侧壁的周围，

所述浮动线圈在所述处理容器的纵方向上与所述RF天线偏移地配置在所述处理容器的侧壁的周围。

14.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质窗形成所述处理容器的侧壁和顶壁，

所述RF天线被配置在所述处理容器的侧壁的周围，

所述浮动线圈被配置在所述电介质窗之上。

15.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质窗形成所述处理容器的侧壁和顶壁，

所述RF天线被配置在所述电介质窗之上，

所述浮动线圈被配置在所述处理容器的侧壁的周围。

16.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述浮动线圈内流动与流经所述RF天线的电流在圆周方向上同向的电流。

17.如权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述浮动线圈内的电容器具有比在所述浮动线圈内引起串联谐振的静电容量的值小的静电容量。