[发明专利]发光二极管及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及制造方法。

背景技术

一般的发光二极管是通过荧光层将发光二极管芯片所发出的光线转换成具有特定波长的出射光线。然而，一般发光二极管中的荧光层是设置在反射杯内并覆盖发光二极管芯片的，此种结构中的发光二极管芯片与荧光层中的荧光材料距离不一，容易造成混光不均匀而影响出光效果。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种可避免混光不均匀的发光二极管及制造方法。

一种发光二极管，其包括基板、设置在该基板上的发光二极管芯片及设置在该基板上并围绕该发光二极管芯片的反射杯。所述发光二极管芯片通过设于基板上的电极与外部电连接。所述反射杯内填充有封装层，该封装层于远离发光二极管芯片的一端通过加热沉淀形成有层状的荧光区域，该荧光区域将发光二极管芯片所发出的光线转换为特定的波长而向外辐射。

一种发光二极管制造方法，该制造方法包括如下步骤：

提供基板及反射杯，该基板相对的两端分别设置有第一电极及第二电极，该反射杯沿基板的周缘环绕设置以形成一容置空间；

将发光二极管芯片设置在容置空间内的第一电极上并通过导线分别与第一电极和第二电极电连接；

用内含荧光微粒的封装材料填充所述容置空间以形成封装层；

密封所述容置空间内的封装材料；

将所述发光二极管倒置并加热被密封的封装材料，使得该封装材料中的荧光微粒沉淀聚集于容置空间远离发光二极管芯片一侧的开口处形成层状的荧光区域；

待所述荧光区域稳定成形后停止加热并冷却至室温以使所述封装材料固化。

鉴于此，有必要提供一种发光二极管及其制造方法通过加热沉淀的方式将原先散布于整个封装层中的荧光微粒聚集在封装层的顶端以形成一层状的荧光区域，使得封装层中的荧光微粒与发光二极管芯片的距离大致相同，从而大大提高整个发光二极管的混光均匀度。

附图说明

图1为本发明实施方式所提供的发光二极管的结构示意图。

图2为本发明实施方式所提供的发光二极管制造方法的流程图。

图3为图2中所示步骤S801的示意图。

图4为图2中所示步骤S802的示意图。

图5为图2中所示步骤S803的示意图。

图6至图7为图2中所示步骤S804的示意图。

图8为图2中所示步骤S805的示意图。

图9为图2中所示步骤S807的示意图。

主要元件符号说明

发光二极管                                    1

基板                                          10

上表面                                        10a

下表面                                        10b

侧表面                                        10c

第一电极                                      12

导线                                          13

第二电极                                      14

发光二极管芯片                                15

反射杯                                        16

容置空间                                      16a

封装层                                        17

封装材料                                      17a

荧光区域                                      18

荧光微粒                                      18a

分隔界面                                      18b