[发明专利]一种氮氧化物传感器芯片

权利要求书

1.一种氮氧化物传感器芯片，由六层基片第一层至第六层基片（1—6）叠压而成，其特征在于：六层基片的材质均为氧化锆，第二层基片（2）上包括四个空腔，第一空腔（7）、第二空腔（9）、第三空腔（13）、第四空腔（16），四个空腔之间依次分别设置有三列扩散障碍层（8、10、14），第三空腔（13）内设置有第一电极（12），第四空腔（16）内设置有第二电极（15）和第三电极（18），第三层基片（3）上设有与大气相连的参比气体通道（22），第三层基片（3）与第四层基片（4）之间设置有参比电极（19），参比电极（19）上覆盖有多孔氧化铝层（20），参比气体通道（22）通过小孔（21）与多孔氧化铝层（20）连通，第四层基片（4）与与第五层基片（5）之间设置有加热电极（23），加热电极（23）的上下各有一层绝缘层（24），第一层基片上设置有第四电极（11），第四电极（11）上覆盖有保护层（25）,所述第三电极（18）上覆盖有一层多孔氧化铝质的膜层（17）。

2.根据权利要求1所述的氮氧化物传感器芯片，其特征在于：所述加热电极（23）上下的绝缘层（24）材质为致密氧化铝质。

3.根据权利要求1所述的氮氧化物传感器芯片，其特征在于：所述第一电极（12）和第二电极（15）的材料为对氮氧化物不敏感的金属陶瓷。

4.根据权利要求4所述的氮氧化物传感器芯片，其特征在于：所述第一电极（12）和第二电极（15）的材料为贵金属铂和低催化活性材料组成。

5.根据权利要求1所述的氮氧化物传感器芯片，其特征在于：所述第三电极（18）的材料为贵金属铂和高催化活性材料组成。

6.根据权利要求1所述的氮氧化物传感器芯片，其特征在于：所述第四电极（11）上覆盖的保护层（25）材质为多孔氧化铝质。