[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201010526085.9 | 申请日: | 2003-04-22 |
公开(公告)号: | CN102044413A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 水越正孝;石月义克;中川香苗;冈本圭史郎;手代木和雄;酒井泰治 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/60;H01L21/48 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 浦柏明;徐恕 |
地址: | 日本国神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其在基板的表面上形成用于与外部进行电连接的凸块时使用,其特征在于,包括:
基板支承台,该基板支承台具有平整的支承面,使基板用其一个面吸附在上述支承面上,将上述一个面强制地作为平整的基准面来进行支承固定;
切削加工上述基板的其他面的刀具,其中,
在上述基板支承台上支承固定基板,该基板在表面上,在多个上述凸块和在上述凸块之间形成绝缘膜而构成,通过使用上述刀具的切削加工进行平整化处理,使得上述各凸块的表面和上述绝缘膜的表面连续且平整。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,利用上述基板支承台,以上述基板的表面为基准面,利用上述刀具对上述基板的背面进行切削加工之后,利用上述基板支承台,以上述基板的上述背面为基准面,利用上述刀具对上述基板的上述表面进行切削加工,进行平整化处理,使得上述各凸块的表面和绝缘膜的表面连续且平整。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,在以上述背面为基准进行上述半导体基板的平行切制的同时,检出上述布线形成面的位置,从检出的上述布线形成面算出切削量并进行控制。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,在检出上述布线形成面的位置时,向上述布线形成面的周边部位的多处中的绝缘膜照射激光,使绝缘物加热飞散,使上述布线形成面的一部分露出。
5.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,在检出上述布线形成面的位置时,向上述背面照射红外激光,测定来自上述布线形成面的反射光。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010526085.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能电池及其制造方法
- 下一篇:用于等离子显示器的障壁浆料及由其制得的障壁
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造