[发明专利]使用纳米线阵列制造场发射电极的方法无效

专利信息
申请号: 201010526331.0 申请日: 2007-07-25
公开(公告)号: CN101986418A 公开(公告)日: 2011-03-16
发明(设计)人: 郑熙泰;尹相天;高永宽 申请(专利权)人: 韩国科学技术院
主分类号: H01J9/02 分类号: H01J9/02
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 韩国大*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 使用 纳米 阵列 制造 发射 电极 方法
【权利要求书】:

1.一种制造场发射电极的方法,所述电极包括根据磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度排列的纳米线,所述方法包括以下步骤:  

(a)将纳米线或结合磁性粒子的纳米线溶解在有机溶剂中而形成的溶液分散到固定在磁场发生器上部的衬底上;

(b)在磁场发生器产生的磁场中,通过从分散到衬底上的溶液中蒸发有机溶剂来根据磁场的方向水平地、垂直地或者以水平和垂直之间的任何角度将纳米线排列在衬底上;和

(c)在衬底上沉积金属,以便根据产生的磁场的方向使水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度排列的纳米线即使在无磁场的情况下也被固定在排列方向上。

2.根据权利要求1所述的制造场发射电极的方法,其特征在于,所述结合磁性粒子的纳米线通过使用物理-化学方法将磁性粒子结合到纳米线上而获得。

3.根据权利要求2所述的制造场发射电极的方法,其特征在于,所述物理-化学方法选自由用酸处理纳米线的方法、磁性粒子经受还原反应的方法和将磁性粒子镀在纳米线上的方法所组成的组中。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制造场发射电极的方法,其特征在于磁性粒子是含铁的粒子。

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