[发明专利]长的斜向延伸膜的制造方法有效
申请号: | 201010526970.7 | 申请日: | 2006-11-28 |
公开(公告)号: | CN102033258A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 板谷元宏;佐藤隆 | 申请(专利权)人: | 日本瑞翁株式会社 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 延伸 制造 方法 | ||
1.一种相位差膜,其特征在于,
该相位差膜是在从宽度方向40°以上85°以下的角度θs的方向具有定向轴且Nz系数在1.4~10的范围的长的相位差膜。
2.如权利要求1所述的相位差膜,其特征在于,
所述Nz系数在1.5~10的范围。
3.如权利要求1所述的相位差膜,其特征在于,
所述定向轴的角度θs为51°以上85°以下。
4.如权利要求1~3中的任一项所述的相位差膜,其特征在于,
平均阻滞Re2为100~300nm。
5.如权利要求1~3中的任一项所述的相位差膜,其特征在于,
阻滞的不均匀为10nm以下。
6.如权利要求1~3中的任一项所述的相位差膜,其特征在于,
固有双折射含有正的树脂。
7.如权利要求1~3中的任一项所述的相位差膜,其特征在于,
宽度为1300mm以上且平均厚度为30~80μm。
8.如权利要求1~3中的任一项所述的相位差膜,其特征在于,
厚度不均匀为3μm以下。
9.如权利要求1~3中的任一项所述的相位差膜,其特征在于,
残留挥发性成分的含有量为0.1重量%以下。
10.如权利要求1~3中的任一项所述的相位差膜,其特征在于,
饱和吸水率为0.03重量%以下。
11.如权利要求1~3中的任一项所述的相位差膜,其特征在于,
定向角的不均匀在2°以下。
12.如权利要求1~3中的任一项所述的相位差膜,其特征在于,
该相位差膜通过将长的原料膜延伸而得到。
13.如权利要求1~3中的任一项所述的相位差膜,其特征在于,
该相位差膜通过将纵向延伸膜倾斜延伸而得到。
14.如权利要求13所述的相位差膜,其特征在于,
所述纵向延伸膜的平均阻滞Re1为150~1000nm。
15.如权利要求14所述的相位差膜,其特征在于,平均阻滞Re2为100~300nm且Re2小于Re1。
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