[发明专利]具备可变电阻器的连续可调电感器

权利要求书

1.一种集成化的可调电感器，包括：

主电感器，具有多个电感器弯折；

至少一封闭回路涡电流线圈，邻近该主电感器；以及

至少一可变电阻器，串联于该涡电流线圈。

2.如权利要求1所述的可调电感器，其中所述至少一可变电阻器包括MOS晶体管装置。

3.如权利要求1所述的可调电感器，其中所述至少一可变电阻器包括开关电阻器阵列。

4.如权利要求1所述的可调电感器，其中该主电感器与所述至少一涡电流线圈存在于集成电路的不同金属层。

5.如权利要求1所述的可调电感器，还包括至少一控制器，连接于所述至少一可变电阻器，用来调整该可变电阻器的电阻。

6.如权利要求1所述的可调电感器，其中该主电感器是平面螺旋线圈电感器或立体螺旋线圈电感器。

7.如权利要求1所述的可调电感器，其中该主电感器的电感横跨一个电感值范围内是可连续调变的。

8.一种连续可调电感器，整合于形成于半导体基板上的一个集成化电路，包括：

主电感器，具有多个的电感器弯折，并且因应时变电流而产生第1磁场；

至少一封闭回路涡电流线圈，邻近于主电感器使得该第1磁场产生涡电流于该涡电流线圈，该涡电流线圈产生反向于该第1磁场的第2磁场，该第2磁场的强度会根据该涡电流而定；

至少一可变电阻器，串联于该涡电流线圈用以调整该涡电流，其中该可变电阻器的电阻横跨一个电阻值范围是可连续调整的，其中调整该可变电阻器的该电阻就会调整该主电感器的电感。

9.如权利要求8所述的连续可调电感器，其中所述至少一可变电阻器包括MOS晶体管装置，以回应于控制电压，该连续可调电感器还包括控制器，用来提供该控制电压。

10.一种调整集成化于集成电路的可调电感器的方法，该可调电感器包括具有多个电感器转折的主电感器与邻近于该主电感器的至少一封闭回路涡电流线圈，上述方法包括：

调整该封闭回路涡电流线圈的电阻，其中调整该涡电流线圈的该电阻就会调整该主电感器的电感。