[发明专利]化学气相沉积装置及其控制方法

权利要求书

1.一种化学气相沉积(CVD)装置，所述装置包含：

腔室；

设置在所述腔室内的在其上放置基片的基座；

设置在所述基座上方并供给工艺气的工艺气供给单元；

设置在所述基座上方并朝向所述基座或所述基片开口的检测管；

安装在所述检测管的末端并通过所述检测管检测所述基座或所述基片的温度的温度检测部件；和

将吹扫气注入所述检测管的吹扫气供给单元。

2.如权利要求1所述的CVD装置，其中，注入所述检测管中的所述吹扫气包含选自氮气、氢气和氨气中的一种。

3.如权利要求1所述的CVD装置，其中，所述吹扫气供给单元还包含控制注入所述检测管的所述吹扫气的供给量的控制器。

4.如权利要求1所述的CVD装置，其中，所述检测管包含贯穿所述吹扫气供给单元的中空结构。

5.如权利要求1所述的CVD装置，其中，所述检测管包含直径小于所述检测管主体内径的出口。

6.如权利要求1所述的CVD装置，所述装置在所述检测管和所述温度检测部件间还包含窗体。

7.如权利要求6所述的CVD装置，其中，所述窗体含有石英。

8.如权利要求1所述的CVD装置，其中，所述温度检测部件包括非接触型温度计。

9.一种化学气相沉积(CVD)装置，所述装置包含：

腔室；

设置在所述腔室内的在其上放置基片的基座；

设置在所述基座上方并供给工艺气的工艺气供给单元；

设置在所述基座上方并朝向所述基座或所述基片开口的检测管；

安装在所述检测管的末端并通过所述检测管检测所述基座或所述基片的温度的温度检测部件；

将第一吹扫气注入所述检测管的第一吹扫气供给单元；和

将第二吹扫气注入所述检测管的第二吹扫气供给单元。

10.如权利要求9所述的CVD装置，其中，所述第一吹扫气包括氮气和氢气中的一种，所述第二吹扫气包括氨气。

11.如权利要求9所述的CVD装置，其中，所述第一吹扫气供给单元还包含控制注入所述检测管的所述第一吹扫气的供给量的第一控制器，所述第二吹扫气供给单元还包含控制注入所述检测管的所述第二吹扫气的供给量的第二控制器。

12.如权利要求9所述的CVD装置，其中，所述检测管包含贯穿所述吹扫气供给单元的中空结构。

13.如权利要求9所述的CVD装置，其中，所述检测管包含直径小于所述检测管主体内径的出口。

14.如权利要求9所述的CVD装置，所述装置还包含位于所述检测管上端的窗体。

15.如权利要求14所述的CVD装置，其中，所述窗体含有石英。

16.如权利要求9所述的CVD装置，其中，所述温度检测部件包括非接触型温度计。

17.一种控制化学气相沉积(CVD)装置的方法，所述方法包括：

将基片放置在腔室内设置的基座上；

对所述基片和/或所述基座进行加热；

将工艺气注入所述腔室中；

将吹扫气注入检测管中；和

通过检测管检测所述基片或所述基座的温度。

18.如权利要求17所述的方法，其中，注入所述检测管中的所述吹扫气包含选自氮气、氢气和氨气中的一种。

19.如权利要求17所述的方法，所述方法还包括控制注入所述检测管的所述吹扫气的供给量。

20.如权利要求17所述的方法，所述方法还包括控制所述基片或基座的温度。