[发明专利]控制具有第二控制栅极的DRAM存储器单元的方法

权利要求书

1.一种控制DRAM存储器单元的方法，所述存储器单元包括绝缘体上半导体衬底上的FET晶体管，所述绝缘体上半导体衬底包括通过绝缘层(2)和基底衬底(1)分隔的半导体材料的薄膜(3)，该晶体管具有通道(4)和两个控制栅极，前控制栅极(8、11)设置在通道(4)的顶部，并通过栅极电介质(7、10)和通道(4)分隔，后控制栅极(9、12、13、17、18)设置在基底衬底中，并通过绝缘层和通道(4)分隔，其特征在于，在单元编程操作中，通过对前控制栅极施加第一电压和对后控制栅极施加第二电压而结合使用前控制栅极和后控制栅极，在没有电压施加到后控制栅极的情况下所述第一电压的幅度低于对单元编程所需的电压的幅度。

2.根据权利要求1所述的控制DRAM存储器单元的方法，其中第二电压是正的。

3.根据权利要求1或2所述的控制DRAM存储器单元的方法，其中在单元保持操作中，对后控制栅极施加第三电压。

4.根据权利要求3所述的控制DRAM存储器单元的方法，其中第三电压是负的或者零。

5.根据前述权利要求中任一项所述的控制DRAM存储器单元的方法，其中在单元读取操作中，对后控制栅极施加第四电压。

6.根据权利要求5所述的控制DRAM存储器单元的方法，其中第四电压是正的。

7.根据前述权利要求中任一项所述的控制DRAM存储器单元的方法，其中前控制栅极和后控制栅极被连接到一起，以及向前控制栅极施加与向后控制栅极施加的电压相等的电压。