[发明专利]薄膜太阳能电池无效
| 申请号： | 201010528549.X | 申请日： | 2010-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102456761A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 方靖淮;袁国秋;许田;曹庄琪 | 申请（专利权）人： | 方靖淮;袁国秋;许田;曹庄琪 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 上海大邦律师事务所 31252 | 代理人： | 袁洋;陈宏 |
| 地址： | 226000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种薄膜太阳能电池（14），自上而下设置了上层金属薄膜（1）、厚玻璃（2）、透明导电薄膜（3）、光电活性薄膜（4）和下层金属薄膜（5），其中上层金属薄膜（1）和下层金属薄膜（5）形成波导的包覆层，厚玻璃（2）、透明导电薄膜（3）和光电活性薄膜（4）形成导波层，下层金属薄膜（5）与透明导电薄膜（3）构成电池的电极。
2.根据权利要求1所述一种薄膜太阳能电池，其特征是：所述光电活性薄膜（4）光响应度大的波段确定上层金属薄膜（1）的厚度。
3.根据权利要求1或2所述一种薄膜太阳能电池，其特征是：所述光电活性薄膜（4）是在透明导电薄膜上制备的多晶硅、非晶硅或CIGS光电活性薄膜。
4.根据权利要求1或2所述一种薄膜太阳能电池，其特征是：所述上层金属薄膜（1）是厚度35nm的金属薄膜。
5.根据权利要求1或2所述一种薄膜太阳能电池，其特征是：所述厚玻璃（2）是厚度0.5mm～2.0mm的玻璃。
6.根据权利要求1或2所述一种薄膜太阳能电池，其特征是：所述光电活性薄膜（4）是亚微米量级透明导电薄膜。
7.根据权利要求1或2所述一种薄膜太阳能电池，其特征是：所述光电活性薄膜（4）是微米量级光电活性薄膜。
8.根据权利要求1或2所述一种薄膜太阳能电池，其特征是：所述下层金属薄膜（5）是厚度300nm的金属薄膜。
9.根据权利要求1或2所述一种薄膜太阳能电池，其特征是：所述上层金属薄膜（1）是厚度35nm的金属薄膜，所述厚玻璃（2）是厚度0.5mm～2.0mm的玻璃，所述光电活性薄膜（4）是亚微米量级透明导电薄膜，所述光电活性薄膜（4）是微米量级光电活性薄膜，所述下层金属薄膜（5）是厚度300nm的金属薄膜。
10.根据权利要求9所述一种薄膜太阳能电池，其特征是：所述上层金属薄膜或下层金属薄膜由银、铜或铝制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于方靖淮;袁国秋;许田;曹庄琪，未经方靖淮;袁国秋;许田;曹庄琪许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
