[发明专利]硒稼硅银化合物、硒稼硅银非线性光学晶体及制法和用途

权利要求书

1.一种硒稼硅银化合物，其化学式Ag_4-xGa_4-xSi_xSe₈，其中0.85＜x＜1.15。

2.一种权利要求1所述硒稼硅银化合物的固相反应制备方法，其步骤如下：

将含Ag物质、含Ga物质、含Si物质和单质Se按照摩尔比Ag∶Ga∶Si∶Se＝(4-x)∶(4-x)∶x∶8的比例配料并混合均匀后，加热至600-750℃进行加热固相反应，其中0.85＜x＜1.15；所述含Ag物质为单质银、硒化银或硒稼银；所述Ga物质为单质稼、三硒化二稼或硒稼银所述Si物质为单质硅或二硒化硅。

3.按权利要求2所述硒稼硅银化合物的制备方法，其特征在于，所述的加热固相反应步骤是：将上述含Ag物质、含Ga物质、含Si物质和单质Se配料研磨之后装入石英管中，对石英管抽真空至10^-3pa并进行熔化封装，放入马弗炉中，以10-50℃/小时的速率升温至600-750℃，恒温48-72小时，待冷却后取出样品；对取出的样品重新研磨混匀再置于石英管中抽真空至10^-3pa并进行再熔化封装，再放入马弗炉内升温至600-750℃烧结24-48小时；将样品取出，并捣碎研磨得粉末状硒稼硅银化合物。

4.一种权利要求1所述硒稼硅银化合物的气相传输制备方法，其步骤如下：

按照摩尔比Ag∶Ga∶Si∶Se＝(4-x)∶(4-x)∶x∶8称取单质Ag、单质Ga、单质Si和单质Se，将所述单质Ag、单质Ga和单质Si均匀混合后放在石英管的一端，将所述单质Se放在石英管的另一端；将石英管抽真空密封后放入水平合成炉中，使放置单质Se的一端位于水平合成炉的低温区，放置单质Ag、单质Ga和单质Si混合物的一端在水平合成炉的高温区；升温使低温区温度为300-400℃，高温区温度为600-800℃，保温至少3小时，再降至室温，得到Ag_4-xGa_4-xSi_xSe₈化合物，其中0.85＜x＜1.15。

5.一种权利要求1所述的硒稼硅银非线性光学晶体，其特征在于，其不具备对称中心，属四方晶系，空间群为其晶胞参数为：α＝β＝γ＝90°。

6.一种权利要求5所述硒稼硅银非线性光学晶体的制备方法，其为高温熔体自发结晶法生长硒稼硅银非线性光学晶体，其步骤为：

将粉末状硒稼硅银化合物加热至熔化得高温熔液并保持24-96小时后，以0.1-10℃/小时的降温速率降温至室温，得到红色透明的硒稼硅银晶体。

7.按权利要求6所述硒稼硅银非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述粉末状硒稼硅银化合物采用加热固相反应法制备，其步骤如下：

将含Ag物质、含Ga物质、含Si物质和单质Se按照摩尔比Ag∶Ga∶Si∶Se＝(4-x)∶(4-x)∶x∶8的比例配料并混合均匀后，加热至600-750℃进行加热固相反应，其中0.85＜x＜1.15；所述含Ag物质为单质银、硒化银或硒稼银；所述Ga物质为单质稼、三硒化二稼或硒稼银所述Si物质为单质硅或二硒化硅。

8.按权利要求7所述硒稼硅银非线性光学晶体的制备方法，其特征在于，所述的加热固相反应步骤是：将上述含Ag物质、含Ga物质、含Si物质和单质Se配料研磨之后装入石英管中，对石英管抽真空至10^-3pa并进行熔化封装，放入马弗炉中，以10-50℃/小时的速率升温至600-750℃，恒温48-72小时，待冷却后取出样品；对取出的样品重新研磨混匀再置于石英管中抽真空至10^-3pa并进行再熔化封装，再放入马弗炉内升温至600-750℃烧结24-48小时；将样品取出，并捣碎研磨得粉末状硒稼硅银化合物。