[发明专利]基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹波光斩波器及使用方法无效
| 申请号： | 201010529018.2 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102109686A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邢岐荣;王昌雷;田震;栗岩锋;柴路;胡明;陈涛 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 | 代理人： | 王小静 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 薄膜 赫兹 波光 斩波器 使用方法 | ||
1.一种基于硅基氧化钒薄膜的太赫兹波光斩波器，其特征在于：该斩波器由设置在太赫兹光路中的硅基氧化钒薄膜(2)，照射硅基氧化钒薄膜的激光二极管(4)，二极管与硅基氧化钒薄膜之间设置一个聚焦透镜(3)，激光二极管的驱动电源(5)，提供驱动电源开关信号的方波信号发生器(6)构成，信号发生器(6)还设有参考信号输出端子(7)，该端子与锁相放大器相连。
2.一种以权利要求1所述的斩波器对太赫兹波进行斩波的方法，其特征在于包含以下过程：硅基氧化钒薄膜(2)的膜面垂直于太赫兹波束放置，激光二极管(4)发出的光与太赫兹波在硅基氧化钒薄膜(2)同侧对其照射，激光二极管(4)的入射方向与膜面法向夹角为30°-60°，照射区的光斑面积由聚焦透镜(3)控制，激光二极管(4)通过激光二极管的驱动电源(5)在方波信号发生器(6)控制下，输出频率为100Hz-3KHz的激光脉冲方波，当激光二极管(4)处于发光状态时，硅基氧化钒薄膜(2)在激光的照射下，发生半导体-金属相变过程，其电导率会剧增，从而对穿透的太赫兹波的损耗大大增强，太赫兹波透过率降低，太赫兹波的传输相当于被阻断状态；当激光二极管(4)处于不发光状态时，硅基氧化钒薄膜(2)处于半导体状态，此时太赫兹波的透过率较高，太赫兹波的传输相当于开通状态，从而周期性的实现对太赫兹波通断的控制，达到对太赫兹波斩波的目的。
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