[发明专利]发光二极管装置无效

专利信息
申请号: 201010529232.8 申请日: 2010-10-22
公开(公告)号: CN102064171A 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 王志麟;柯韦志;林睿腾 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L25/13 分类号: H01L25/13;H01L33/48;H01L33/50
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 装置
【权利要求书】:

1.一种发光二极管装置,其特征在于,包含:

一基板;

一杯状结构,设置于该基板上,并围成一容置空间;以及

一分隔结构,设置于该容置空间中,并将该容置空间分隔出一第一区块与一第二区块;

其中,该第一区块中设置有:

一第一蓝光芯片,该第一蓝光芯片具有一第一蓝光波段的单色发射光谱;以及

一第一封装胶体,包覆并封装该第一蓝光芯片;

该第二区块中设置有:

一第二蓝光芯片,该第二蓝光芯片具有一第二蓝光波段的单色发射光谱;以及

一第二封装胶体,包覆并封装该第二蓝光芯片,该第二封装胶体中混合有一绿光荧光粉,该绿光荧光粉将该第二蓝光波段的单色发射光谱完全转换为一绿光波段的单色发射光谱;

其中,该绿光荧光粉选自一硅酸盐、一氮氧化物、一镏铝氧化物与一钙钪氧化物其中之一。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该绿光荧光粉选用该硅酸盐时,该绿光荧光粉与该第二封装胶体的重量比例范围介于80%与160%之间。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该硅酸盐包含(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu。

4.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该绿光荧光粉选用该氮氧化物时,该绿光荧光粉与该第二封装胶体的重量比例范围介于90%与180%之间。

5.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该氮氧化物包含β-SiAlON:Eu。

6.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该绿光荧光粉选用该镏铝氧化物时,该绿光荧光粉与该第二封装胶体的重量比例范围介于80%与160%之间。

7.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该镏铝氧化物包含Lu3Al5O12:Ce。

8.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该绿光荧光粉选用该钙钪氧化物时,该绿光荧光粉与该第二封装胶体的重量比例范围介于90%与180%之间。

9.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该钙钪氧化物包含CaSc2O4:Ce。

10.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该第一区块中另设置有一第一红光芯片,该第一红光芯片具有一第一红光波段的单色发射光谱,且该第一封装胶体包覆并封装该第一蓝光芯片与该第一红光芯片。

11.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,该分隔结构另将该容置空间分隔出一第三区块。

12.如权利要求11所述的发光二极管装置,其特征在于,该第三区块中设置有:

一第二红光芯片,该第二红光芯片具有一第二红光波段的单色发射光谱;以及

一第三封装胶体,用以包覆并封装该第二红光芯片。

13.如权利要求11所述的发光二极管装置,其特征在于,该第三区块中设置有:

一第三蓝光芯片,该第三蓝光芯片具有一第三蓝光波段的单色发射光谱;以及

一第四封装胶体,用以包覆并封装该第三蓝光芯片,该第四封装胶体中混合有一红光荧光粉,该红光荧光粉将该第三蓝光波段的单色发射光谱完全转换为一红光波段的单色发射光谱;

其中,该红光荧光粉选用氮化物。

14.如权利要求13所述的发光二极管装置,其特征在于,该红光荧光粉选用该氮化物时,该红光荧光粉与该第三封装胶体的重量比例范围介于24%与120%之间。

15.如权利要求13所述的发光二极管装置,其中该氮化物包含(Ca,Sr)AlSiN3:Eu或(Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu。

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