[发明专利]集成电路元件、其形成方法及封装组件

权利要求书

1.一种集成电路元件，包括：

一凸块结构，设置于一半导体基底上，其中该凸块结构包括一顶部表面及一侧壁表面，且该半导体基底包括一表面区邻接该凸块结构的该侧壁表面；以及

一L型保护结构，覆盖该凸块结构的该侧壁表面，且延伸至该半导体基底的该表面区，

其中该L型保护结构由一非金属材料层形成。

2.如权利要求1所述的集成电路元件，其中该L型保护结构包括一介电层、一高分子层或前述的组合的其中至少一个。

3.如权利要求2所述的集成电路元件，其中该L型保护结构包括一氮化硅层、一聚酰亚胺层或前述的组合的其中至少一个。

4.如权利要求1所述的集成电路元件，其中该凸块结构包括一导电柱，其中该导电柱包含铜。

5.如权利要求4所述的集成电路元件，其中该凸块结构包括一覆盖层在该导电柱上，以及一焊锡层在该覆盖层上，其中该覆盖层包括Ni层。

6.一种封装组件，包括：

一第一基底；

一凸块结构，设置于该第一基底上，其中该凸块结构包括一凸块下金属层设置于该第一基底上，以及一铜柱设置于该凸块下金属层上，且该凸块结构具有一侧壁表面邻接该第一基底的一表面区；

一L型保护结构，覆盖该凸块结构的该侧壁表面，且延伸至该第一基底的该表面区，其中该L型保护结构由一非金属材料层形成；

一第二基底；以及

一接合焊锡层，设置于该第二基底与该凸块结构之间。

7.如权利要求6所述的封装组件，其中该L型保护结构包括氮化硅层、聚酰亚胺层或前述的组合的其中至少一个。

8.如权利要求6所述的封装组件，其中该凸块结构具有一顶部表面低于或共平面于该L型保护结构的一上表面。

9.一种形成集成电路元件的方法，包括：

形成一凸块结构在一半导体基底上，其中该凸块结构具有一顶部表面及一侧壁表面，且该半导体基底具有一表面区未被该凸块结构覆盖；

形成一非金属保护层在该凸块结构的该顶部表面与该侧壁表面上，以及该半导体基底的该表面区上；以及

从该凸块结构的该顶部表面移除该非金属保护层，使得该非金属保护层的一残余部分形成一L型保护结构。

10.如权利要求9所述的形成集成电路元件的方法，其中移除该非金属保护层的步骤包括进行一化学机械研磨工艺，暴露出该凸块结构的该顶部表面，其中在移除该非金属保护层的步骤之后，该非金属保护层的一上表面与该凸块结构的该顶部表面共平面。

11.如权利要求9所述的形成集成电路元件的方法，其中移除该非金属保护层的步骤包括：

形成一光致抗蚀剂层在该非金属保护层上；

形成一第一开口在该光致抗蚀剂层内；

形成一第二开口在非金属保护层内，其位置对应至该第一开口，暴露出该凸块结构的该顶部表面；以及

移除该光致抗蚀剂层；

其中在移除该非金属保护层的步骤之后，该非金属保护层的一上表面高于该凸块结构的该顶部表面。

12.如权利要求9所述的形成集成电路元件的方法，其中该L型保护结构包括氮化硅层、聚酰亚胺层或前述的组合。