[发明专利]半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制作方法，包括：

提供一基底；

形成多个鳍于该基底上方，该些鳍借由一隔离结构彼此隔离；

形成一栅极结构于每个鳍的部分上方；

分别于该栅极结构的侧壁形成间隙壁；

于每个鳍的暴露的部分外延成长硅，其中该外延工艺加入一不纯物元素，该不纯物元素择自锗、铟和碳组成的族群；及

于该外延硅掺杂n型掺杂物。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该不纯物元素对该外延硅的原子比小于10％。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该外延工艺还包括使用HCl，以于该外延工艺中移除该间隙壁和隔离结构上的硅。

4.一种半导体装置的制作方法，包括：

形成多个硅鳍，该些硅鳍借由一浅沟槽隔离结构彼此隔离；

形成一栅极结构于每个该些硅鳍上方；

分别于该栅极结构的侧壁形成间隙壁；

形成一外延硅于每个该些硅鳍的暴露部分上；

于该外延硅掺杂n型掺杂物，作为部分的源极和漏极图样，其中该外延工艺使用一硅前驱物、一载气和一不纯物元素，该不纯物元素择自锗、铟和碳组成的族群，

其中该不纯物元素对该外延硅的原子比小于10％。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制作方法，其中该原子比小于5％。

6.如权利要求4所述的半导体装置的制作方法，其中该外延工艺的压力范围大体上为5～760torr，且外延工艺的温度大体上为500℃～750℃。

7.如权利要求4所述的半导体装置的制作方法，其中该n型掺杂物的百分比小于1％，且该掺杂使用临场外延工艺进行。

8.如权利要求4所述的半导体装置的制作方法，其中该该外延工艺还包括使用HCl，以于该外延工艺中移除该间隙壁和浅沟槽隔离结构上的硅。

9.一种半导体装置，包括：

一基底；

一n沟道鳍式场效晶体管，包括：

多个鳍，位于该基底上方，该些鳍借由一浅沟槽隔离结构彼此隔离；

一栅极结构，位于每个该些鳍的部分上方；

多个间隙壁，分别形成于该栅极结构的侧壁；及

源极和漏极区，形成于每个鳍的另一部分中，该些鳍包括一外延硅，位于每个鳍该另一部分上方，其中该不纯物元素择自锗、铟和碳组成的族群，且该不纯物元素对该外延硅的原子比小于10％。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中该外延硅掺杂n型掺杂物，且该n型掺杂物的百分比小于1％。