[发明专利]导电性反射膜及其制造方法无效
申请号: | 201010529520.3 | 申请日: | 2010-10-22 |
公开(公告)号: | CN102097513A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 山崎和彦;荒井将英;林年治 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/0224;H01L31/18;B05D7/04;B05D7/24 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 陈万青;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电性 反射 及其 制造 方法 | ||
1.一种导电性反射膜,形成于在覆板型薄膜太阳能电池的光电转换层上成膜的透明导电膜上,其特征在于,
通过湿式涂布法将包含金属纳米颗粒的组合物涂布在所述透明导电膜上,烧结具有所述涂膜的基材,由此形成反射膜以使在所述反射膜与所述透明导电膜的界面的一部分具有空气层,
所述生成的空气层的相对于反射膜面积的总面积在5~70%范围内。
2.如权利要求1所述的导电性反射膜,其中,空气层的高度为5~200nm的范围,所述空气层的宽度为10~300nm的范围。
3.如权利要求1或2所述的导电性反射膜,其中,反射膜中包含选自由聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物及水溶性纤维素构成的组中的1种或2种以上的物质。
4.如权利要求1所述的导电性反射膜,其中,反射膜中所含的金属元素中银的比例为75质量%以上。
5.如权利要求1所述的导电性反射膜,其中,反射膜的厚度在0.05~2.0μm的范围内。
6.如权利要求1所述的导电性反射膜,其中,就反射膜中所含的金属纳米颗粒而言,粒径在10~50nm范围的颗粒以数均计为70%以上。
7.如权利要求1所述的导电性反射膜,其中,包含金属纳米颗粒的组合物根据湿式涂布法的涂布,是涂布成烧结后的厚度成为0.05~2.0μm范围内的涂布,具有涂膜的基材的烧结在升温速度为100~300℃/分钟、130~400℃温度下保持10~60分钟而进行。
8.如权利要求1所述的导电性反射膜,其中,湿式涂布法是喷涂法、分配涂布法、旋涂法、刮涂法、狭缝涂布法、喷墨涂布法、丝网印刷法、胶版印刷法或印模涂布法的任意一种。
9.如权利要求1所述的导电性反射膜,其中,包含金属纳米颗粒的组合物通过金属元素中银的比例为75质量%以上的金属纳米颗粒分散在分散介质中来制备,所述金属纳米颗粒通过碳骨架为碳数1~3的有机分子主链的保护剂被化学改性,所述金属纳米颗粒含有以数均计为70%以上的初级粒径为10~50nm范围的金属纳米颗粒。
10.如权利要求1所述的导电性反射膜,其中,基材是玻璃、包含透明导电材料的陶瓷、或由高分子材料构成的透光性基板的任意一种,或者是选自由所述玻璃、包含透明导电材料的陶瓷、高分子材料及硅构成的组中的2种以上的透光性层压体。
11.如权利要求1所述的导电性反射膜,其中,含有金属纳米颗粒的组合物进一步包含选自由有机高分子、金属氧化物、金属氢氧化物、有机金属化合物及硅油构成的组中的1种或2种以上的添加物。
12.如权利要求11所述的导电性反射膜,其中,有机高分子为选自由聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮的共聚物及水溶性纤维素构成的组中的1种或2种以上的物质。
13.如权利要求11所述的导电性反射膜,其中,金属氧化物为包含选自由铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟和锑构成的组中的至少1种的氧化物或复合氧化物。
14.如权利要求11所述的导电性反射膜,其中,金属氢氧化物为包含选自由铝、硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼、锡、铟和锑构成的组中的至少1种的氢氧化物。
15.如权利要求11所述的导电性反射膜,其中,有机金属化合物为包含选自由硅、钛、铬、锰、铁、钴、镍、银、铜、锌、钼和锡构成的组中的至少1种的金属皂、金属络合物或金属醇盐。
16.如权利要求9所述的导电性反射膜,其中,作为分散介质含有1质量%以上的水和2质量%以上的醇类。
17.一种导电性反射膜的制造方法,其特征在于,通过湿式涂布法将包含金属纳米颗粒的组合物涂布于在覆板型薄膜太阳能电池的光电转换层上成膜的透明导电膜上,将具有所述涂膜的基材以100~300℃/分钟升温,在130~400℃的温度下保持10~60分钟而进行烧结,由此形成膜以使该膜与所述透明导电膜的界面的一部分具有空气层,将所述生成的空气层的相对于反射膜面积的总面积设在5~70%范围内。
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