[发明专利]硅基SIS异质结光电器件的制备方法

权利要求书

1.一种硅基SIS异质结光电器件的制备方法，其特征在于该方法具有以下的步骤：

a. 选用p-型电导、晶向为（100）、电阻率为5.0 Ω·cm、厚度为200 μm的直拉硅单晶片为衬底；

    b. 经标准RCA化学清洗；

    c. 将硅片在体积比为HF:H₂O= 1:10 溶液中浸泡7 分钟，去除正面的磷硅玻璃及硅表面自然氧化层；

    d. 用真空蒸发在硅片背面镀2微米厚的Al 金属电极膜；

    e. 将硅片在400～500℃，流量比为N₂:O₂=4:1条件下热氧化15～30分钟生长一层15～20??超薄SiO₂层，背面Al合金化同时进行；

    f. 继而直流磁控溅射AZO发射极、减反射、收集电极膜；

g. 通过金属掩模板直流磁控溅射Cu栅指电极；

h. 用金刚石刀切去光电池边缘部分，防止光电池边缘短路效应，即得到半导体异质结AZO/SiO₂/p-Si 结构的SIS光电器件。