[发明专利]发光器件、发光器件封装和照明系统有效
申请号: | 201010529773.0 | 申请日: | 2010-10-22 |
公开(公告)号: | CN102074628A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 黄盛珉;曹贤敬 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/44;H01L33/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;吴鹏章 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 照明 系统 | ||
1.一种发光器件,包括:
第一电极;
邻接所述第一电极设置的第一半导体层,所述第一半导体层具有沿第一方向的第一预定厚度和沿第二方向的第一预定宽度,所述第一方向和所述第二方向不同,所述第一半导体层还包括侧表面;
邻接所述第一半导体层设置的有源层;
邻接所述有源层设置的第二半导体层;
与所述第二半导体层邻接的第二电极;和
在所述第一半导体层的至少一个侧表面处的至少一个电流阻挡层,所述至少一个电流阻挡层具有沿所述第一方向的第二预定厚度和沿所述第二方向的第二预定宽度,所述第二预定厚度和所述第二预定宽度分别小于所述第一预定厚度和所述第一预定宽度,并且所述至少一个电流阻挡层的整个第二预定宽度设置在所述第一半导体层内部。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述第一半导体层为第一导电型,所述第二半导体层为第二导电型。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其中所述第一半导体层包括:
第一导电型的第二半导体子层;
在所述第二半导体子层的外周侧面处的电流阻挡层;和
在所述第二半导体子层上的第一导电型的第一半导体子层。
4.根据权利要求2所述的发光器件,其中所述电流阻挡层包括非导电区域、第二导电型的离子注入层、第二导电型的扩散层、电介质材料和非晶区域中的至少之一。
5.根据权利要求2所述的发光器件,还包括:
在所述第二半导体层的侧面处的第二电流阻挡层。
6.根据权利要求1所述的发光器件,还包括:
在所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层的侧表面上以及在所述第二半导体层和所述第二电极之间设置的盖层。
7.根据权利要求6所述的发光器件,其中所述盖层由用于形成所述第一半导体层、所述有源层或者所述第二半导体层中的至少之一的材料的半导体材料化合物形成。
8.根据权利要求6所述的发光器件,其中所述盖层的在所述侧表面上提供的部分的厚度小于在所述第二半导体层和所述第二电极之间提供的部分的厚度,使得所述盖层的在所述侧表面上提供的所述部分用作钝化层。
9.根据权利要求6所述的发光器件,其中所述盖层的在所述侧表面上提供的部分的厚度小于在所述第二半导体层和所述第二电极之间提供的部分的厚度,使得所述盖层的在所述侧表面上提供的所述部分的电阻高于所述盖层的在所述第二半导体层和所述第二电极之间提供的所述部分的电阻。
10.根据权利要求6所述的发光器件,其中所述盖层包括未掺杂的AlxInyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)。
11.根据权利要求6所述的发光器件,其中在所述发光结构的侧表面处的所述钝化层薄于在所述发光结构的上表面处的所述钝化层。
12.根据权利要求1所述的发光器件,还包括:
与所述第一半导体层邻接的未掺杂的半导体层;和
延伸穿过所述未掺杂的半导体层并且进入所述第一半导体层的凹陷,所述第一电极位于所述凹陷内部。
13.根据权利要求12所述的发光器件,其中所述未掺杂的半导体层具有第一表面和相反的第二表面,其中所述第一表面更靠近所述第一半导体层和所述第二表面,并且其中所述第二表面包括多个间隔开的抬升部分。
14.一种发光器件封装,其具有根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发光器件封装还包括:
封装体;
在所述封装体中的第一电极层和第二电极层,其中所述发光器件与所述第一电极层和所述第二电极层电连接。
15.一种照明系统,其具有根据权利要求1所述的发光器件,所述照明系统还包括:
发光模块,所述发光模块包括衬底和在所述衬底上设置的发光器件封装,其中所述发光器件封装包括封装体和在所述封装体中的第一电极层和第二电极层,其中所述发光器件与所述第一电极层和所述第二电极层电连接。
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