[发明专利]发光器件和发光器件封装

说明书

技术领域

实施方案涉及发光器件、发光器件封装和照明系统。

背景技术

发光器件(LED)包括具有将电能转化为光能的特性的p-n结型二极管。p-n结型二极管可通过组合周期表的III-V族元素而形成。LED可通过调节化合物半导体的组成比例而表现出各种颜色。

当对LED施加正向电压时，n层的电子与p层的空穴复合，使得可产生对应于导带和价带间能隙的能量。该能量主要实现为热或光，LED将该能量作为光发射。

氮化物半导体表现出优异的热稳定性和宽的带隙能，使得氮化物半导体在光学器件和高功率电子器件领域得到关注。特别地，使用氮化物半导体的蓝色发光器件、绿色发光器件和紫外发光器件已经得到发展和广泛应用。

根据相关技术，当发生静电放电(ESD)时，电流可反向流动，由此导致形成在发光区中的有源层受损。

为防止LED由于ESD而受损，根据相关技术，在封装中沿LED的反方向安装齐纳二极管，同时将齐纳二极管与LED并联。因此，当施加恒定电压时，电流流向LED，使得LED发光。此外，当发生ESD时，电流流向齐纳二极管，从而可防止LED受损。

然而，根据相关技术，在封装中安装齐纳二极管导致可能发生光吸收损失。

根据相关技术，在垂直型发光器件中，在发光器件的顶部和底部分别形成n型电极和p型电极用于电流注入。

在这种情况下，通过n型电极和p型电极注入的电子和空穴传输至有源层并彼此复合以发光。光可发射到外部，或者被n型电极反射并在发光器件内部消失。换言之，根据相关技术，在n型电极下方发射的光被n型电极反射，使得发光效率可能降低。

此外，根据相关技术，被n型电极反射的光被再次吸收，导致可能放热。

根据相关技术，发光器件的寿命和可靠性可由于电流拥堵而降低。

发明内容

实施方案提供一种能够防止发光器件由于ESD而受损同时防止光吸收损失的发光器件、发光器件封装和照明系统。

实施方案提供一种能够改善光提取效率同时提高电流散布效率的发光器件、发光器件封装和照明系统。

根据实施方案，一种发光器件包括：包括第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层和在有源层上的第一导电型半导体层的发光结构；在通过移除发光结构的一部分所限定的腔中的介电层；以及在介电层上的第二电极层。所述第二电极包括：在介电层上的反射层以及在反射层上的导电层。

根据实施方案，一种发光器件包括：包括第二导电型半导体层、在第二导电型半导体层上的有源层和在有源层上的第一导电型半导体层的发光结构；在通过移除发光结构的一部分所限定的腔中的电容器；以及在发光结构上的第一电极。所述电容器包括：在腔上的介电层以及在介电层上的第二电极层。

根据实施方案，一种发光器件封装包括：封装体、安装在封装体中的第三电极层和第四电极层、以及与第三电极层和第四电极层电连接的发光器件。

根据实施方案，一种照明系统包括：衬底和在所述衬底上的包括发光器件封装的发光模块。所述发光器件封装包括：封装体、安装在封装体中的第三电极层和第四电极层、以及与第三电极层和第四电极层电连接的发光器件。

附图说明

图1是显示根据第一实施方案的发光器件的截面图；

图2是显示根据该实施方案的发光器件的电路图；

图3是显示当发生ESD时根据该实施方案的发光器件的波形图；

图4～7是显示根据第一实施方案的发光器件的制造工艺的截面图；

图8是显示根据第二实施方案的发光器件的截面图；

图9是显示根据第三实施方案的发光器件的截面图；

图10是显示根据该实施方案的发光器件封装的截面图；

图11是显示根据该实施方案的照明单元的立体图；和

图12是显示根据该实施方案的背光单元的分解立体图。

具体实施方式

以下，将参考附图详细地描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装和照明系统。

在实施方案的描述中，应理解当层(或膜)称为在另一层或衬底“上”时，其可直接在所述另一层或者衬底上，或者也可存在中间层。此外，应理解当层被称为在另一个层“下”时，其可以直接在所述另一层下，也可存在一个或更多个中间层。另外，也应理解当层被称为在两层“之间”时，其可以是在所述两层之间仅有的层，或也可存在一个或更多个中间层。

(实施方案)

图1是显示根据第一实施方案的发光器件的截面图，图2是显示根据该实施方案的发光器件的电路图。