[发明专利]一种抗辐射复合材料及其配备方法有效
申请号: | 201010529883.7 | 申请日: | 2010-11-03 |
公开(公告)号: | CN102127391B | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 刘立东 | 申请(专利权)人: | 北京航天万方科技有限公司 |
主分类号: | C09K3/00 | 分类号: | C09K3/00;G21F1/02;H01L23/552;H01L21/56 |
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地址: | 100070 北京市丰台区海鹰路1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 辐射 复合材料 及其 配备 方法 | ||
1.一种抗辐射复合材料,包含抗辐射填料和将填料粘合在一起的树脂粘合剂,其特征是所述抗辐射 填料以粉末形态按照一定重量百分比配合在一起,其中,钨(W)或其化合物:60%±10%;铅(Pb)或 其化合物:20%±10%;锡(Sn)或其化合物:5%±3%;钆(Gd)或其化合物:1%±0.3%;硼(B)或 其化合物:13%±5%;铈(Ce)或其化合物:1%±0.3%,并通过树脂粘合剂混合。
2.根据权利要求1所述的抗辐射复合材料,其特征是所述抗辐射填料的颗粒度范围在1.5μm至20 μm之间。
3.根据权利要求1或2所述的抗辐射复合材料,其特征是将所述抗辐射填料和所述树脂粘合剂混合 并高温烧结形成覆盖在电子元器件外表面的抗辐射加固壳体,可使电子器件的抗累积辐射能力≥300kRad, 抗单粒子冲击的能力≥45MeVcm2/mg。
4.根据权利要求3所述的抗辐射复合材料,其特征是所述壳体可按照不同电子元器件的外形制作成 型。
5.根据权利要求4所述的抗辐射复合材料,其特征是所述按照不同电子元器件外形制作的壳体是通 过高温烧结工艺制成的。
6.根据权利要求5所述的抗辐射复合材料,其特征是所述壳体用耐高温树脂材料粘合在元器件表面。
7.一种抗辐射复合材料的配备方法,其特征是将抗辐射填料以粉末形态按照一定重量百分比配合在 一起,其中,钨(W)或其化合物:60%±10%;铅(Pb)或其化合物:20%±10%;锡(Sn)或其化合物: 5%±3%;钆(Gd)或其化合物:1%±0.3%;硼(B)或其化合物:13%±5%;铈(Ce)或其化合物:1% ±0.3%,并通过树脂粘合剂混合,然后,制成壳体后粘合在元器件表面。
8.根据权利要求7所述的配备方法,其特征是所述壳体可按照不同电子元器件的外形制作成型。
9.根据权利要求7或8所述的配备方法,其特征是所述按照不同电子元器件外形制作的壳体是通过 高温烧结工艺制成的。
10.根据权利要求9所述的配备方法,其特征是所述壳体用耐高温树脂材料粘合在元器件表面。
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