[发明专利]一种抗辐射复合材料及其配备方法有效
| 申请号： | 201010529883.7 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102127391B | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘立东 | 申请（专利权）人： | 北京航天万方科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K3/00 | 分类号： | C09K3/00;G21F1/02;H01L23/552;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100070 北京市丰台区海鹰路1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 辐射 复合材料 及其 配备 方法 | ||
1.一种抗辐射复合材料，包含抗辐射填料和将填料粘合在一起的树脂粘合剂，其特征是所述抗辐射 填料以粉末形态按照一定重量百分比配合在一起，其中，钨(W)或其化合物：60％±10％；铅(Pb)或 其化合物：20％±10％；锡(Sn)或其化合物：5％±3％；钆(Gd)或其化合物：1％±0.3％；硼(B)或 其化合物：13％±5％；铈(Ce)或其化合物：1％±0.3％，并通过树脂粘合剂混合。
2.根据权利要求1所述的抗辐射复合材料，其特征是所述抗辐射填料的颗粒度范围在1.5μm至20 μm之间。
3.根据权利要求1或2所述的抗辐射复合材料，其特征是将所述抗辐射填料和所述树脂粘合剂混合 并高温烧结形成覆盖在电子元器件外表面的抗辐射加固壳体，可使电子器件的抗累积辐射能力≥300kRad， 抗单粒子冲击的能力≥45MeVcm2/mg。
4.根据权利要求3所述的抗辐射复合材料，其特征是所述壳体可按照不同电子元器件的外形制作成 型。
5.根据权利要求4所述的抗辐射复合材料，其特征是所述按照不同电子元器件外形制作的壳体是通 过高温烧结工艺制成的。
6.根据权利要求5所述的抗辐射复合材料，其特征是所述壳体用耐高温树脂材料粘合在元器件表面。
7.一种抗辐射复合材料的配备方法，其特征是将抗辐射填料以粉末形态按照一定重量百分比配合在 一起，其中，钨(W)或其化合物：60％±10％；铅(Pb)或其化合物：20％±10％；锡(Sn)或其化合物： 5％±3％；钆(Gd)或其化合物：1％±0.3％；硼(B)或其化合物：13％±5％；铈(Ce)或其化合物：1％ ±0.3％，并通过树脂粘合剂混合，然后，制成壳体后粘合在元器件表面。
8.根据权利要求7所述的配备方法，其特征是所述壳体可按照不同电子元器件的外形制作成型。
9.根据权利要求7或8所述的配备方法，其特征是所述按照不同电子元器件外形制作的壳体是通过 高温烧结工艺制成的。
10.根据权利要求9所述的配备方法，其特征是所述壳体用耐高温树脂材料粘合在元器件表面。
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