[发明专利]射频电子标签的电源产生电路

权利要求书

1.一种射频电子标签的电源产生电路，包括整流电路、NMOS调整管、第一电阻、第二电阻，其特征在于，还包括电荷泵、比较器、第一反馈电路、第二反馈电路、第三电阻；

所述整流电路的输入端接射频电子标签天线，输出端接所述电荷泵的输入端及所述NMOS调整管的漏极；

所述电荷泵的输出端接所述NMOS调整管的栅极；

所述第一电阻、第二电阻、第三电阻串接于所述NMOS调整管的源极同地之间；

所述第一电阻同第二电阻的串接端的电压作为射频电子标签的工作电压输出；

所述比较器的正输入端接所述第二电阻同所述第三电阻的串接端，负输入端接一带隙基准电压，输出端接所述第一反馈电路的输入端和第二反馈电路的输入端，当第二电阻同所述第三电阻的串接端的电压小于带隙基准电压，比较器的输出端的电压为射频电子标签的工作电压，当第二电阻同第三电阻的串接端的电压大于带隙基准电压，比较器的输出端的电压为零；

所述第一反馈电路的输出端接所述电荷泵的输入端，当所述第一反馈电路的输入端电压为射频电子标签的工作电压时，所述电荷泵的输入端电压升高，当所述第一反馈电路的输入端电压为零时，所述电荷泵的输入端电压降低；

所述第二反馈电路的输出端接所述电荷泵的输出端，当所述第二反馈电路的输入端电压为射频电子标签的工作电压时，所述电荷泵的输出端电压升高，当所述第二反馈电路的输入端电压为零时，所述电荷泵的输出端电压降低。

2.根据权利要求1所述的射频电子标签的电源产生电路，其特征在于，射频电子标签的电源产生电路还包括一钳位电路，所述钳位电路接于射频电子标签天线同地之间。

3.根据权利要求1所述的射频电子标签的电源产生电路，其特征在于，所述电荷泵包括第一NMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管、第四PMOS管；

第一NMOS管的源极、第二PMOS管的漏极、第三NMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极短接，第一NMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极、第三NMOS管的源极、第四PMOS管的漏极短接，第一NMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极短接作为电荷泵的输入端，第二PMOS管的源极、第四PMOS管的源极短接作为电荷泵的输出端。

4.根据权利要求1所述的射频电子标签的电源产生电路，其特征在于，第一反馈电路包括第五PMOS管、第六NMOS管、第七PMOS管、第八NMOS管、第九PMOS管、第十NMOS管、第四电阻；

第五PMOS管的栅极接比较器的输出端，漏极接地，源极接第六NMOS管的源极，第六NMOS管的栅、漏极短接于第七PMOS管的漏极、第八NMOS管的栅极、第九PMOS管的栅极，第七PMOS管的源极接电荷泵的输入端，栅极通过第四电阻接电荷泵的输入端，第八NMOS管的源极接地，漏极接第九PMOS管的漏极、第十NMOS管的栅极，第九PMOS管的源极接电荷泵的输入端，第十NMOS管的源极接地，漏极接电荷泵的输入端。

5.根据权利要求1所述的射频电子标签的电源产生电路，其特征在于，第二反馈电路包括第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管，第十一PMOS管的栅极接比较器的输出端，漏极接地，源极接第十二PMOS管的栅、漏极，第十二PMOS管的源极接第十三PMOS管的栅、漏极，第十三PMOS管的源极接电荷泵的输出端。

6.根据权利要求1所述的射频电子标签的电源产生电路，其特征在于，射频电子标签的电源产生电路还包括一限压保护电路，所述限压保护电路包括第十五NMOS管、第十六PMOS管、第十七NMOS管、第十八NMOS管、第十九NMOS管、第二十NMOS管；

第十五NMOS管的栅、漏极接电荷泵的输出端，源极接第十六PMOS管的源极，第十六PMOS管的栅极接第一电阻同第二电阻的串接端，漏极接第十九NMOS管的栅极和第十七NMOS管的栅、漏极，第十七NMOS管的源极接第十八NMOS管的漏极，第十八NMOS管M18的栅极与第二十NMOS管的栅极相接，第十八NMOS管的源极与第二十NMOS管的源极短接地，第二十NMOS管的漏极接第十九NMOS管的源极，第十九NMOS管的源极接比较器的输出端。

7.根据权利要求6所述的射频电子标签的电源产生电路，其特征在于，第十五NMOS管和第十六PMOS管的阈值电压之和处于2V和4.5V之间。

8.根据权利要求1所述的射频电子标签的电源产生电路，其特征在于，射频电子标签的电源产生电路还包括一节能电路，所述节能电路包括第廿一PMOS管、第廿二PMOS管、第廿三PMOS管、第廿四NMOS管、第廿五NMOS管；

第廿一PMOS管、第廿二PMOS管及第廿三PMOS管的源极接电荷泵的输出端，第廿一PMOS管的漏极接电荷泵的输入端，栅极接第廿二PMOS管的漏极、第廿三PMOS管M23的、第廿五NMOS管的漏极，第廿二PMOS管的栅极接第廿三PMOS管的漏极、第廿四NMOS管的漏极，第廿四NMOS管的栅极接第一电阻同第二电阻的串接端，源极接第廿五NMOS管的栅极，第廿五NMOS管的源极接地。