[发明专利]半导体晶片的制造方法

权利要求书

1.用于制造半导体晶片的方法，其包括：

(a)利用包含平均粒径为20.0至60.0μm的磨料的研磨圆盘对由单晶切割的半导体晶片的边缘进行导圆；

(b)对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，所述半导体晶片以可自由移动的方式位于多个利用滚动装置旋转的载体圆盘之一的凹坑中，并由此以摆线轨迹移动，其中半导体晶片在2个旋转的环形加工圆盘之间进行加工，每个加工圆盘具有包含平均粒径为5.0至20.0μm的磨料的加工层；

(c)对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，所述半导体晶片以可自由移动的方式位于多个利用滚动装置旋转的载体圆盘之一的凹坑中，并由此以摆线轨迹移动，其中半导体晶片在2个旋转的环形加工圆盘之间进行加工，每个加工圆盘具有包含平均粒径为0.5至15.0μm的磨料的加工层，粒径小于步骤(a)中采用的粒径；

(d)利用包含平均粒径为1.0μm至最大20.0μm的磨料的研磨圆盘对半导体晶片的边缘进行导圆，粒径小于步骤(a)中采用的粒径；

(e)在半导体晶片的每面的材料去除量不多于1μm的情况下，用蚀刻介质处理半导体晶片的两面；

(f)利用包含平均粒径为0.1至1.0μm的磨料的抛光垫对半导体晶片的至少一面进行抛光；

(g)对半导体晶片的边缘进行抛光；

(h)至少对正面进行化学机械抛光(CMP)。

2.根据权利要求1的方法，其中在步骤(f)中利用包含平均粒径为0.1至1.0μm的牢固粘结的磨料的抛光垫对半导体晶片的正面进行抛光，同时利用CMP对半导体晶片的背面进行抛光。

3.根据权利要求1或2的方法，其中在步骤(h)中在对正面进行CMP抛光的同时同步地利用包含牢固地粘结的磨料的抛光垫对半导体晶片的背面进行抛光。

4.根据权利要求1或2的方法，其中在步骤(f)中使用的抛光垫包含选自以下组中的磨料颗粒：碳化硅、氮化硼、金刚石和元素铈、铝、硅、锆的氧化物。

5.根据权利要求1至3之一的方法，其中在步骤(e)中半导体晶片的每面的材料去除量至少为0.1nm，且最多为1μm。

6.根据权利要求1至5之一的方法，其中在步骤(g)中绕中心旋转的半导体晶片的边缘以特定的力压在绕中心旋转的抛光滚筒上，抛光滚筒配备有包含牢固地粘结的磨料的抛光垫，并且不含固体物质的抛光剂溶液被连续地送入，所用的抛光垫包含选自以下组中的磨料颗粒：碳化硅、氮化硼、金刚石和元素铈、铝、硅、锆的氧化物。

7.根据权利要求1至6之一的方法，其中在步骤(a)中所述研磨圆盘的平均粒径为25至30μm或30至40μm。

8.根据权利要求1至7之一的方法，其中在步骤(b)中所述加工层的磨料的平均粒径为5至10μm。

9.根据权利要求1至8之一的方法，其中在步骤(c)中所述加工层的磨料的平均粒径为0.5至4μm。

10.根据权利要求1至9之一的方法，其中在步骤(a)中所述研磨圆盘的平均粒径为0.5至10μm。