[发明专利]避免激光退火边界效应的激光退火方法有效
申请号: | 201010530391.X | 申请日: | 2010-10-28 |
公开(公告)号: | CN102237274A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 许凯钧;杜友伦;王从建;许慈轩;王俊智 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L27/146 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 避免 激光 退火 边界 效应 方法 | ||
1.一种使用激光光束激光退火具有多个裸片的晶片的方法,包括:
接收上述裸片其中之一的第一子区的第一长度,其中此第一子区不允许与此激光光束的边界重叠;
接收上述裸片其中之一的第二子区的第二长度,其中此第二子区允许与此激光光束的此边界重叠;
接收扫描模式中邻近扫描路径之间的希望重叠;
从此第一长度、此第二长度以及此希望重叠决定此激光光束的尺寸,使此激光光束的此尺寸为足够大以覆盖整数个此第一子区,而不会部分覆盖一额外第一子区;以及
决定此激光光束的扫描模式,使此决定尺寸的此激光光束的此边界在此扫描模式下不会与此第一子区重叠。
2.如权利要求1所述的使用激光光束激光退火具有多个裸片的晶片的方法,其中此扫描模式为具有多个扫描线的线扫描,此激光光束的此尺寸为此激光光束的束宽,此扫描路径为上述扫描线,以及此希望重叠为此线扫描中相邻扫描线之间此激光光束的此束宽的重叠,其中此激光光束的此束宽为此希望重叠和一整数倍数的总和,此整数倍数为此第一长度加上此第二长度的总长的整数倍,且其中在此多条扫描线其中每一扫描线的终点,此激光光束的此束宽被移动一数量,此数量等于此激光光束的此束宽减去此线扫瞄相邻扫描线之间此激光光束的此束宽的重叠量。
3.如权利要求2所述的使用激光光束激光退火具有多个裸片的晶片的方法,其中若此希望重叠为此激光光束的此束宽的50%,则此激光光束的此束宽为此第一长度和此第二长度总和整数倍的两倍,其中所述的决定此扫描模式包括:
安置此激光光束使此多条扫描线的此激光光束的此边界只与此第二子区重叠;以及
在此多条扫描线其中每一扫描线的终点,移动此激光光束一数量,此数量等于此激光光束的此束宽的50%。
4.如权利要求2所述的使用激光光束激光退火具有多个裸片的晶片的方法,其中此激光光束的此束宽比最小长度大且比最大长度小,其中此最小长度从接收此第一长度加上此第二长度的总和的第一整数倍以产生倍数结果,并且将此倍数结果减去此第二长度而取得,且其中此最大长度为此倍数结果和此第二长度的总和,以及其中所述的决定此扫描模式包括:
安置此激光光束使此多条扫描线的此激光光束的此边界只与此第二子区重叠;以及
在此多条扫描线其中每一扫描线的终点,移动此激光光束一移动数量,此移动数量等于此第一长度加上此第二长度的总和的第二整数倍,其中此第二整数倍不比此第一整数倍大,且此希望重叠为此激光光束的此束宽和此移动数量之间的差。
5.如权利要求1所述的使用激光光束激光退火具有多个裸片的晶片的方法,其中此扫描模式为具有多个激光射击的步进扫描,此激光光束的此尺寸为包括此激光射击的宽度和长度的面积,此扫描路径为此激光射击,而且此希望重叠包括此重叠的宽度以及此重叠的长度,此重叠的宽度等于相邻激光射击在宽度方向之间此面积的重叠,而此重叠的长度等于相邻激光射击在长度方向之间此面积的重叠,且其中此第一长度和此第二长度位在此长度方向,且此方法更进一步包括:
接收在裸片其中之一的此第一子区的第一宽度,其中此第一宽度位在此宽度方向;以及
接收在裸片其中之一的此第二子区的第二宽度,其中此第二宽度位在此宽度方向。
6.如权利要求5所述的使用激光光束激光退火具有多个裸片的晶片的方法,其中此激光射击的宽度为此重叠量的此宽度与此第一宽度加上此第二宽度的总和的整数倍的总和,其中此激光射击的此长度为此重叠量的此长度和此第一长度加上此第二长度的总和的整数倍的总和。
7.如权利要求5所述的使用激光光束激光退火具有多个裸片的晶片的方法,其中此激光射击的此宽度比最小宽度大且比最大宽度小,此最小宽度从接收此第一宽度加上此第二宽度的总和的第一整数倍以产生倍数结果,并且将此倍数结果减去此第二宽度而取得,且此最大宽度为此倍数结果和此第二长度的总和,其中此激光射击的此长度比最小长度大且比最大长度小,此最小长度从接收此第一长度加上此第二长度的总和的第一整数倍以产生倍数结果,并且将此倍数结果减去此第二长度而取得,且此最大长度为此倍数结果和此第二长度的总和。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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