[发明专利]一种三层膜结构的Low-E玻璃及其生产工艺无效

专利信息
申请号: 201010530471.5 申请日: 2010-10-29
公开(公告)号: CN102452799A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 俞志稳 申请(专利权)人: 俞志稳
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人: 李海燕
地址: 211409 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 三层 膜结构 low 玻璃 及其 生产工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种Low-E玻璃及其生产工艺,尤其涉及一种三层膜结构的Low-E玻璃及其生产工艺。

背景技术

由于有着优异的热性能和良好的光学性能,Low-E玻璃的运用越来越广泛,现有的Low-E玻璃大多是用液体金属或金属粉末直接喷射到热玻璃表面上,随着玻璃的冷却,在玻璃表面形成一层金属薄膜,而为了增加玻璃的耐磨性能,往往需要增加金属薄膜的厚度,因而造成其光透射度和透明性较差。

发明内容

本发明为了解决以上问题提供了一种耐磨性好、光透射度好、色彩鲜明的三层膜结构的Low-E玻璃及其生产工艺。

本发明的技术方案是:包括有Low-E玻璃基片,其特征在于:玻璃基片上由里到外依次复合有三层膜,中间的膜为纯银薄膜,纯银薄膜两侧的膜为金属氧化物膜,具体加工步骤如下:

1)、将Low-E玻璃基片垂直放置在架子上,送入10-1帕数量级的真空环境内;

2)、向真空环境内通入适量的惰性气体Ar或反应气体O2、N2,并保持真空度稳定;

3)、将靶材Ag、Si分别嵌入两个阴极,并在与阴极垂直的水平方向置入磁场构成磁控靶;

4)、以磁控靶为阴极,加上直流或交流电源,在高电压的作用下,惰性气体或反应气体发生电离;

5)、将嵌入Ag、Si的两个阴极靶,先后靠近玻璃表面来回移动,形成三成均匀的薄膜。

所述的金属氧化物为金属硅氧化物。

本发明产品设置了三层膜结构,中间的膜为纯银薄膜,两侧为金属氧化物膜,金属氧化物膜对纯银薄膜提供保护,增加了玻璃的耐磨性,同时作为膜层中间的纯银薄膜增加了色彩的纯度和光透射度,节能环保。

本发明工艺实施难度低、方法简便,形成的三层膜结构均匀一致,对设备的要求较低,容易实现。

具体实施方式

一种三层膜结构的Low-E玻璃及其生产工艺,包括有Low-E玻璃基片,玻璃基片上由里到外依次复合有三层膜,中间的膜为纯银薄膜,纯银薄膜两侧的膜为金属氧化物膜,具体加工步骤如下:

1)、将Low-E玻璃基片垂直放置在架子上,送入10-1帕数量级的真空环境内;

2)、向真空环境内通入适量的惰性气体Ar或反应气体O2、N2,并保持真空度稳定;

3)、将靶材Ag、Si分别嵌入两个阴极,并在与阴极垂直的水平方向置入磁场构成磁控靶;

4)、以磁控靶为阴极,加上直流或交流电源,在高电压的作用下,惰性气体或反应气体发生电离;

5)、将嵌入Ag、Si的两个阴极靶,先后靠近玻璃表面来回移动,形成三成均匀的薄膜。

所述的金属氧化物为金属硅氧化物。

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