[发明专利]一种三层膜结构的Low-E玻璃及其生产工艺无效
申请号: | 201010530471.5 | 申请日: | 2010-10-29 |
公开(公告)号: | CN102452799A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 俞志稳 | 申请(专利权)人: | 俞志稳 |
主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人: | 李海燕 |
地址: | 211409 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三层 膜结构 low 玻璃 及其 生产工艺 | ||
技术领域
本发明涉及一种Low-E玻璃及其生产工艺,尤其涉及一种三层膜结构的Low-E玻璃及其生产工艺。
背景技术
由于有着优异的热性能和良好的光学性能,Low-E玻璃的运用越来越广泛,现有的Low-E玻璃大多是用液体金属或金属粉末直接喷射到热玻璃表面上,随着玻璃的冷却,在玻璃表面形成一层金属薄膜,而为了增加玻璃的耐磨性能,往往需要增加金属薄膜的厚度,因而造成其光透射度和透明性较差。
发明内容
本发明为了解决以上问题提供了一种耐磨性好、光透射度好、色彩鲜明的三层膜结构的Low-E玻璃及其生产工艺。
本发明的技术方案是:包括有Low-E玻璃基片,其特征在于:玻璃基片上由里到外依次复合有三层膜,中间的膜为纯银薄膜,纯银薄膜两侧的膜为金属氧化物膜,具体加工步骤如下:
1)、将Low-E玻璃基片垂直放置在架子上,送入10-1帕数量级的真空环境内;
2)、向真空环境内通入适量的惰性气体Ar或反应气体O2、N2,并保持真空度稳定;
3)、将靶材Ag、Si分别嵌入两个阴极,并在与阴极垂直的水平方向置入磁场构成磁控靶;
4)、以磁控靶为阴极,加上直流或交流电源,在高电压的作用下,惰性气体或反应气体发生电离;
5)、将嵌入Ag、Si的两个阴极靶,先后靠近玻璃表面来回移动,形成三成均匀的薄膜。
所述的金属氧化物为金属硅氧化物。
本发明产品设置了三层膜结构,中间的膜为纯银薄膜,两侧为金属氧化物膜,金属氧化物膜对纯银薄膜提供保护,增加了玻璃的耐磨性,同时作为膜层中间的纯银薄膜增加了色彩的纯度和光透射度,节能环保。
本发明工艺实施难度低、方法简便,形成的三层膜结构均匀一致,对设备的要求较低,容易实现。
具体实施方式
一种三层膜结构的Low-E玻璃及其生产工艺,包括有Low-E玻璃基片,玻璃基片上由里到外依次复合有三层膜,中间的膜为纯银薄膜,纯银薄膜两侧的膜为金属氧化物膜,具体加工步骤如下:
1)、将Low-E玻璃基片垂直放置在架子上,送入10-1帕数量级的真空环境内;
2)、向真空环境内通入适量的惰性气体Ar或反应气体O2、N2,并保持真空度稳定;
3)、将靶材Ag、Si分别嵌入两个阴极,并在与阴极垂直的水平方向置入磁场构成磁控靶;
4)、以磁控靶为阴极,加上直流或交流电源,在高电压的作用下,惰性气体或反应气体发生电离;
5)、将嵌入Ag、Si的两个阴极靶,先后靠近玻璃表面来回移动,形成三成均匀的薄膜。
所述的金属氧化物为金属硅氧化物。
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