[发明专利]一种MOS管及其版图设计方法

权利要求书

1.一种MOS管，其包括多个矩形重复单元，所述矩形重复单元包括有第一矩形边、与第一矩形边相对且平行的第二矩形边、第三矩形边和与第三矩形边相对且平行的第四矩形边，其特征在于，所述矩形重复单元包括：

位于第三矩形边和第四矩形边的中心连线与第一矩形边之间的、起始于第三矩形边而终止于第四矩形边的形的第一带状栅极和位于第三矩形边和第四矩形边的中心连线与第二矩形边之间的、起始于第三矩形边而终止于第四矩形边的形的第二带状栅极；

2n个矩形漏极半接触孔，其中n个矩形漏极半接触孔的一长边与第一矩形边重合，并沿所述第一矩形边居中分布；另外n个矩形漏极半接触孔的一长边与第二矩形边重合，并沿所述第二矩形边居中分布；和

2n个矩形源极半接触孔，其中n个矩形源极半接触孔的一长边与第三矩形边重合，并沿所述第三矩形边居中分布；另外n个矩形源极半接触孔的一长边与第四矩形边重合，并沿所述第四矩形边居中分布，

其中n为大于等于1的自然数。

2.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，所述矩形重复单元依第一矩形边和第二矩形边的中点连线呈轴对称图形，依第三矩形边和第四矩形边的中点连线呈轴对称图形。

3.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，相邻的两个矩形漏极半接触孔之间的间距相等且大于等于接触孔最小间距，相邻的两个矩形源极半接触孔之间的间距相等且大于等于接触孔最小间距。

4.根据权利要求3所述的MOS管，其特征在于，所述矩形源极半接触孔的边沿距所述带状栅极的边沿的垂直距离等于或者大于预设最小源极间距，所述矩形漏极半接触孔的边沿距所述带状栅极的边沿的垂直距离等于或者大于预设最小漏极间距。

5.根据权利要求4所述的MOS管，其特征在于，第一带状栅极与所述重复单元的第一矩形边的最小垂直距离等于第一带状栅极的边沿与第二带状栅极的边沿的最小垂直距离的二分之一，第二带状栅极与所述重复单元的第二矩形边的最小距离等于第一带状栅极的边沿与第二带状栅极的边沿的最小垂直距离的二分之一，第一带状栅极的边沿与第二带状栅极的边沿的最小垂直距离等于或大于最小栅极间距。

6.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，每个矩形漏极半接触孔的长边等于两倍的短边长度，每个矩形源极半接触孔的长边等于两倍的短边长度。

7.一种版图设计方法，用于设计如权利要求1所述的MOS管，其特征在于，其包括：

获取设计规则；

根据设计规则计算所述源极接触孔的数目n；

根据所述接触孔数目计算矩形重复单元的长和宽；和

根据所述接触孔数目n、矩形重复单元的长和矩形重复单元的宽设计所述矩形重复单元。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述设计规则包括最小栅极间距、最小栅极长度、最小接触孔宽度、预设最小源极接触孔距栅极间距、最小漏极接触孔距栅极间和最小接触孔间距。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述源极接触孔数目n的计算公式为：

其中n为大于0的整数，当右侧计算结果不为整数时需向上取整，其中C为最小接触孔宽度、D为预设最小源极接触孔距栅极间距、E为最小漏极接触孔距栅极间距和F为最小接触孔间距。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述矩形重复单元的长Y的计算公式为：

Y＝C+2D+2B+2E+nC+(n-1)F，

其中n为接触孔数目、B为最小栅极长度、C为最小接触孔宽度、D为最小源极接触孔距栅极间距、E为预设最小漏极接触孔距栅极间距和F为最小接触孔间距，所述矩形重复单元的宽X‘的计算公式为

X‘＝A+2B+nC+(n-1)F+2D，

其中n为接触孔数目、A为最小栅极间距、B为最小栅极长度、C为最小接触孔宽度、D为最小源极接触孔距栅极间距和F为最小接触孔间距。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，其中最小栅极间距、最小栅极长度、最小接触孔宽度、最小漏极接触孔距栅极间和最小接触孔间距是由MOS管的制备工艺所决定，其中预设最小源极接触孔距栅极间距由静电防护设计需求所决定。