[发明专利]电池充电装置及方法

权利要求书

1.一种电池充电装置，包括相互连接的适配器、充电电路、充电控制电路和电池，其特征在于：

所述充电电路包括一个P沟道MOS管(PMOS)、一个NPN型三极管(Q1)、一个PNP型三极管(Q2)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)，其中，所述P沟道MOS管(PMOS)的源极与所述PNP型三极管(Q2)的发射极相连，所述PNP型三极管(Q2)的基极与所述第一电阻(R1)的一端相连，所述PNP型三极管(Q2)的集电极与所述P沟道MOS管(PMOS)的漏极相连且共同与所述电池相连，所述第一电阻(R1)的另一端与所述NPN型三极管(Q1)的集电极相连，所述NPN型三极管(Q1)的基极与所述第二电阻(R2)的一端相连，所述NPN型三极管(Q1)的发射极接地；

所述充电控制电路包括数字基带处理器、转换电路、电压探测器和温度探测器，其中，所述转换电路包括适配器检测装置、寄存器、寄存器控制端口、数字模拟转换器(DAC)和模拟数字转换器(ADC)，所述寄存器控制端口通过总线分别与所述数字基带处理器、适配器检测装置、寄存器、数字模拟转换器(DAC)和模拟数字转换器(ADC)相连，所述数字模拟转换器(DAC)连接所述P沟道MOS管(PMOS)的栅极，所述电压探测器和所述温度探测器连接在所述模拟数字转换器(ADC)和所述电池之间，所述数字基带处理器单独提供一个默认状态是低电平的通用输入/输出接口(gpio)，该接口与所述第二电阻(R2)的另一端相连；

所述适配器分别连接所述适配器检测装置、所述P沟道MOS管(PMOS)的源极和所述PNP型三极管(Q2)的发射极。

2.根据权利要求1所述的电池充电装置，其特征在于，所述温度探测器为与所述电池并联的热敏电阻(R_t)。

3.根据权利要求2所述的电池充电装置，其特征在于，所述PNP型三极管(Q2)的放大系数为100，所述第一电阻(R1)的阻值为60Kohm，所述第二电阻(R2)的阻值为100Kohm。

4.一种电池充电方法，应用于如权利要求1-3任意一项所述的电池充电装置中，其特征在于，包括：

对电池进行预充电；

判断所述电池的类型；

根据所述电池类型选择相应的后续充电过程。

5.根据权利要求4所述的电池充电方法，其特征在于，所述根据电池类型选择相应的后续充电过程包括：

当所述电池为锂电池时，首先进行大电流恒流充电，当电池电压大于第一预设门限电压时，结束所述大电流恒流充电，然后进行恒压充电，当充电电流小于预设充电结束门限电流时，充电完成；

当所述电池为镍氢电池时，首先进行大电流恒流充电，当满足预设条件时，结束所述大电流恒流充电，然后将数字基带处理器单独提供的通用输入/输出接口(gpio)置成高电平，使PNP型三极管和NPN型三极管导通，进行小电流恒流充电，当所述小电流恒流充电的时间到达预设门限时，充电完成。

6.根据权利要求5所述的电池充电方法，其特征在于，所述预设条件包括：

电池温度大于预设门限温度、电池电压大于第二预设门限电压、电池温度变化率不小于第一预设值或电池电压变化不小于第二预设值。