[发明专利]接触孔的形成方法有效
| 申请号： | 201010531245.9 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102468217A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 黄敬勇;韩秋华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 形成 方法 | ||
1.一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底上形成有MOS晶体管；
依次形成第一阻挡层和介质层，覆盖所述MOS晶体管和半导体基底，所述第一阻挡层与所述介质层的刻蚀选择比大于等于10；
对所述介质层进行刻蚀，在所述MOS晶体管的栅极、源极和漏极上方分别形成第一开口、第二开口和第三开口，所述第一开口、第二开口和第三开口的底部暴露出所述第一阻挡层；
去除所述第一开口、第二开口和第三开口底部的第一阻挡层。
2.根据权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，在形成所述第一阻挡层之前，还包括：形成第二阻挡层，覆盖所述MOS晶体管和半导体基底；在去除所述第一开口、第二开口和第三开口底部的第一阻挡层之后，还包括：去除所述第一开口、第二开口和第三开口底部的第二阻挡层，分别暴露出所述栅极、源极和漏极。
3.根据权利要求2所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为可灰化材料。
5.根据权利要求4所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为无定形碳，所述介质层的材料为氧化硅。
6.根据权利要求5所述的接触孔的形成方法，其特征在于，使用灰化法去除所述第一开口、第二开口和第三开口底部的第一阻挡层。
7.根据权利要求6所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述灰化法使用的反应气体为氧气或氧气的等离子体。
8.根据权利要求5所述的接触孔的形成方法，其特征在于，使用干法刻蚀对所述介质层进行刻蚀，刻蚀气体包括C4F6。
9.根据权利要求1所述的接触孔的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为100至200
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
