[发明专利]TEM样品的制备方法有效
| 申请号： | 201010531258.6 | 申请日： | 2010-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102466579A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 段淑卿;杨卫明;芮志贤;陆冠兰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
1.一种TEM样品的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供检测样片，所述检测样片上具有至少两个待检测区域，即第一待检测区域和第二待检测区域；
在检测样片的第一待检测区域形成标记；
从所述第一待检测区域切割出第一样片，所述第一样片包括所述标记，从所述第二待检测区域切割出第二样片，所述第二样片的形状和第一样片的形状相同；
将所述第一样片和第二样片的具有待检测区域的一面贴合粘接，形成双样片；
沿所述双样片的被切割的两个相对侧面减薄所述双样片，直到暴露所述标记。
2.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述待检测区域具有待检测图形，所述标记位于待检测图形以外的区域。
3.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述标记为条带状，减薄所述双样片的方向为所述标记的长度方向，所述标记的长度大于或等于100nm。
4.根据权利要求3所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述标记在所述检测样片表面的深度为10μm～30μm。
5.根据权利要求3所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述标记在所述检测样片表面的宽度小于100nm。
6.根据权利要求3所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述形成标记是利用激光刻蚀的方法。
7.根据权利要求6所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述激光的波长为200nm至800nm，频率为10HZ至30HZ。
8.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述沿所述双样片的被切割的两个相对侧面减薄所述双样片包括：
利用化学机械研磨方法减薄所述双样片；
再进一步利用等离子体轰击方法减薄所述双样片。
9.根据权利要求8所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述等离子体轰击为利用Ar离子，能量在0-10KeV左右。
10.根据权利要求1所述的TEM样品的制备方法，其特征在于，所述样片的具有待检测图形的一面具有器件层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010531258.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光学摄像镜组
- 下一篇：一种磁制冷工质床及制备方法
