[发明专利]采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法

权利要求书

1.采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法，其特征在于所述氮化铝陶瓷基片的原料组成及其按质量百分比的含量为：氮化铝93％～98％，三氧化二钇2％～7％；

所述方法包括以下步骤：

1)在纳米或亚微米AIN粉体中，添加纳米或亚微米Y₂O₃，经干法球磨混合均匀，得混合粉体；

2)使用模压机将混合粉体成型，得混合粉体坯；

3)将混合粉体坯烧结；

4)将烧结后的混合粉体坯切片，再经打磨抛光处理后，得氮化铝陶瓷基片。

2.如权利要求1所述的采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法，其特征在于在步骤2)中，所述混合粉体坯的形状为截面50mm×50mm以上的立方体混合粉体坯或直径50mm以上的圆柱体的混合粉体坯。

3.如权利要求1所述的采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法，其特征在于在步骤3)中，所述将混合粉体坯烧结，是将混合粉体坯放入石墨或AIN材质的烧结模具中加压烧结。

4.如权利要求3所述的采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法，其特征在于在步骤3)中，所述烧结采用石墨烧结炉热压烧结、微波烧结炉微波烧结或等离子放电烧结炉等离子放电烧结。

5.如权利要求4所述的采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法，其特征在于在步骤3)中，所述热压烧结的温度为1550～1750℃，热压烧结的时间为4～6h。

6.如权利要求4所述的采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法，其特征在于在步骤3)中，所述微波烧结的温度为1500～1600℃，微波烧结的时间为10～25min。

7.如权利要求4所述的采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法，其特征在于在步骤3)中，所述等离子放电烧结的温度为1700～1800℃，等离子放电烧结的时间为5～10min。

8.如权利要求1所述的采用烧块切片法制备氮化铝陶瓷基片的方法，其特征在于在步骤4)中，所述切片是采用多线切片机或圆切机将烧结后的混合粉体坯切成表面平整的薄片或厚片。