[发明专利]双相共晶硅合金及其制造方法、以及使用该硅合金粉末的烧结体的制造方法无效

专利信息
申请号: 201010531944.3 申请日: 2010-11-02
公开(公告)号: CN102051512A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 渡边敏幸;松下昌史;樱井利隆;佐藤一也;松下洋子;御崎孝义;进藤节子;进藤步;久保田由美子;松下晶子;齐藤邦生;设乐匠;柳野太史;吉田高;水岛尚;松园脩;佐藤一昭;清水幸喜 申请(专利权)人: 伊斯曼杰股份有限公司
主分类号: C22C29/00 分类号: C22C29/00;C22C1/04
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 钟守期;苏萌
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 双相共晶硅 合金 及其 制造 方法 以及 使用 粉末 烧结
【权利要求书】:

1.一种双相共晶硅合金,其为含有以重量百分比计硅为30-70、氮为10-45、铝为1-40、氧为1-40的硅合金,其特征在于,具有由β′SiALON相和o′SiALON相构成的共晶组织。

2.权利要求1的双相共晶硅合金,其中由β′SiALON相和o′SiALON相构成的所述共晶组织的面积率为至少60%以上。

3.权利要求1的双相共晶硅合金,其中还含有1重量%以下的硼。

4.权利要求3的双相共晶硅合金,其中由β′SiALON相和o′SiALON相构成的所述共晶组织的面积率为至少40%以上。

5.一种双相共晶硅合金的制造方法,其为含有以重量百分比计硅为30-70、氮为10-45、铝为1-40、且氧为1-40的硅合金的燃烧合成方法,其特征在于,通过将燃烧合成时的冷却速度控制在每分钟50℃以下进行冷却,得到具有由β′SiALON相和o′SiALON相构成的共晶组织的双相共晶硅合金。

6.权利要求5的双相共晶硅合金的制造方法,其中由β′SiALON相和o′SiALON相构成的所述共晶组织的面积率为至少60%以上。

7.权利要求5的双相共晶硅合金的制造方法,其中所述硅合金还含有1重量%以下的硼。

8.权利要求7的双相共晶硅合金的制造方法,其中由β′SiALON相和o′SiALON相构成的所述共晶组织的面积率为至少40%以上。

9.一种双相共晶硅合金烧结体的制造方法,其特征在于,

将以下成形体保持在可以投入所述成形体具有的热容量的十倍以上的热量的烧结炉内,在常压或常压以上,且在硅气体的摩尔分数为10%以上的氮气氛围气体中,在1400℃以上1700℃以下的温度烧结,

所述成形体为由双相共晶硅合金粉末形成的成形体,该双相共晶硅合金粉末为含有以重量百分比计硅为30-70、氮为10-45、铝为1-40、且氧为1-40的硅合金,其具有由β′SiALON相和o′SiALON相构成的共晶组织。

10.权利要求9的双相共晶硅合金烧结体的制造方法,其中由β′SiALON相和o′SiALON相构成的所述共晶组织的面积率为至少60%以上。

11.权利要求9的双相共晶硅合金烧结体的制造方法,其中所述硅合金还含有1重量%以下的硼。

12.权利要求11的双相共晶硅合金烧结体的制造方法,其中由β′SiALON相和o′SiALON相构成的所述共晶组织的面积率为至少40%以上。

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