[发明专利]双向硅控整流器无效
| 申请号： | 201010532157.0 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102468344A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王云强 | 申请（专利权）人： | 精拓科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双向 整流器 | ||
1.一种双向硅控整流器，其特征在于，包括：
一基板，为一第一导电型态；
一埋入层，位于该基板上，且为一第二导电型态；
一第一井与一第二井，位于该埋入层上，且皆为该第一导电型态；
一第三井，位于该埋入层上，且于该第一井与该第二井之间，该第三井为该第二导电型态；
一第一半导体区与一第二半导体区，位于该第一井内；
一第三半导体区与一第四半导体区，位于该第二井内；以及
一掺杂区域，位于该第一半导体区与该第三半导体区之间，该掺杂区域包括部分的该第三井，且该掺杂区域为该第二导电型态。
2.如权利要求1所述的双向硅控整流器，其特征在于，该掺杂区域还包括部分的该第一井与该第二井。
3.如权利要求1所述的双向硅控整流器，其特征在于，该第一导电型态为N型或P型其中之一，该第二导电型态为N型或P型其中之另一。
4.如权利要求1所述的双向硅控整流器，其特征在于，该第一半导体区与该第二半导体区连接至一阳极，该第三半导体区与该第四半导体区连接至一阴极。
5.如权利要求1所述的双向硅控整流器，其特征在于，该第一半导体区与该第二半导体区连接至一阴极，该第三半导体区与该第四半导体区连接至一阳极。
6.如权利要求1所述的双向硅控整流器，其特征在于，还包括至少一第四井，连接于该第一井、该埋入层与该基板之间，该第四井为该第二导电型态。
7.如权利要求6所述的双向硅控整流器，其特征在于，该第四井为一磊晶层。
8.如权利要求1所述的双向硅控整流器，其特征在于，还包括至少一第四井，连接于该第二井、该埋入层与该基板之间，该第四井为该第二导电型态。
9.如权利要求8所述的双向硅控整流器，其特征在于，该第四井为一磊晶层。
10.如权利要求1所述的双向硅控整流器，其特征在于，该第一半导体区与该第三半导体区为该第一导电型态或该第二导电型态其中之一，该第二半导体区与该第四半导体区为该第一导电型态或该第二导电型态其中之另一。
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