[发明专利]半导体器件失效分析样品制作方法及分析方法无效
| 申请号： | 201010532607.6 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102468122A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 陈强;钟怡 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G01R31/303 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 失效 分析 样品 制作方法 方法 | ||
1.一种半导体器件失效分析样品的制作方法，其特征在于，包含：
提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；
去除晶片背面的封装覆层，直至暴露晶片焊垫；
去除晶片焊垫；
去除晶片背面的封装覆层，暴露引脚框架，不暴露晶片内的引线。
2.一种半导体器件失效分析样品的制作方法，其特征在于，四条引线连接在引线框架同一管脚上。
3.依据权利要求1的半导体器件失效分析样品的制作方法，其特征在于，所述引脚框架的材料为铜，表面镀有金属镍。
4.依据权利要求1的半导体器件失效分析样品的制作方法，其特征在于，所述晶片焊垫的材料是金属铜。
5.依据权利要求1的半导体器件失效分析样品的制作方法，其特征在于，所述去除晶片焊垫步骤中使用的是浓度为70％的硝酸溶液。
6.依据权利要求1的半导体器件失效分析样品的制作方法，其特征在于，所述去除晶片焊垫的步骤还包括去除晶片焊垫表面的银胶层的步骤。
7.依据权利要求1的半导体器件失效分析样品的制作方法，其特征在于，采用机械研磨的方法去除晶片背面的封装覆层。
8.依据权利要求1的半导体器件失效分析样品的制作方法，其特征在于，用机械研磨的方法去除晶片背面的封装覆层用的是水砂纸。
9.依据权利要求1的半导体器件失效分析样品的制作方法，其特征在于，去除晶片背面的封装覆层的步骤包括用棉花清洁晶片焊垫。
10.依据权利要求1的半导体器件失效分析样品的制作方法，其特征在于，所述引线的材料是金属铝或者金属金。
11.依据权利要求1的半导体器件失效分析样品的制作方法，其特征在于，所述半导体器件失效分析的方法适用的封装类型包括小尺寸贴片封装、薄型小尺寸贴片封装、四侧引脚扁平封装等形成引线框架的封装。
12.一种半导体器件失效分析方法，其特征在于，包含提供待测的半导体器件，所述半导体器件包括晶片和封装覆层；
去除晶片背面的封装覆层，直至暴露晶片焊垫；
去除晶片焊垫；
去除晶片背面的封装覆层，暴露引脚框架，不暴露晶片内的引线；
在暴露的引线框架的管脚上施加电压，并采用激光扫描晶片；
测试暴露的引线框架的管脚上电流，进行失效分析。
13.依据权利要求12的半导体器件失效分析方法，失效分析是使用微光显微镜进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
