[发明专利]双面生长型MOCVD反应器有效
| 申请号： | 201010532676.7 | 申请日： | 2010-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102465280A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;周健华 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双面 生长 mocvd 反应器 | ||
1.一种双面生长型MOCVD反应器，其特征在于，包括：
反应室；
位于所述反应室内壁上表面的第一石墨盘，所述第一石墨盘上设有第一承载槽，所述第一承载槽的周围设有卡持部件；
位于所述反应室内壁下表面的第二石墨盘，所述第二石墨盘上设有第二承载槽；
位于所述反应室顶部中心位置的进气口，所述进气口的横截面为三层同心圆结构，由内到外依次为圆形的第一氢化物气源入口、环形的金属有机物气源入口以及环形的第二氢化物气源入口；
位于所述反应室侧壁的出气口；
以及分别位于第一石墨盘及第二石墨盘背面的两套加热系统。
2.根据权利要求1所述一种双面生长型MOCVD反应器，其特征在于：所述出气口由均匀分布在反应室侧壁的多个孔洞组成。
3.根据权利要求1所述一种双面生长型MOCVD反应器，其特征在于：所述第一承载槽与所述第二承载槽相对布置。
4.根据权利要求1所述一种双面生长型MOCVD反应器，其特征在于：所述第一石墨盘上设有以所述进气口呈中心对称的多个第一承载槽，所述第二石墨盘上设有多个第二承载槽，分别与其上的多个第一承载槽一一对应。
5.根据权利要求1所述一种双面生长型MOCVD反应器，其特征在于：所述进气口中的第一氢化物气源入口、金属有机物气源入口以及第二氢化物气源入口的面积比为1∶1∶1。
6.根据权利要求1所述一种双面生长型MOCVD反应器，其特征在于：所述两套加热系统均为灯丝加热系统。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
