[发明专利]制造单晶锭的装置无效
申请号: | 201010532816.0 | 申请日: | 2010-11-01 |
公开(公告)号: | CN101967675A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 李园 | 申请(专利权)人: | 王楚雯 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00;C30B29/20 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100084 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 单晶锭 装置 | ||
1.一种制造单晶锭的装置,其特征在于,包括:
主体;
设置在所述主体内的坩埚;
主加热器,所述主加热器设置在所述坩埚的四周,用于熔化容纳在坩埚内的给料;
籽晶夹头,所述籽晶夹头位于所述坩埚之上,用于夹持籽晶;
热交换器,所述热交换器位于所述坩埚的顶部和籽晶夹头之间,所述籽晶夹头可升降地穿过所述热交换器且所述热交换器中通入冷却介质以对所述籽晶进行冷却;和
第一保温部件,所述第一保温部件设置在所述热交换器与所述坩埚之间。
2.根据权利要求1所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,第一保温部件为热反射屏和/或保温层。
3.根据权利要求2所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,所述第一保温部件之下设置有辅助加热器。
4.根据权利要求3所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,所述辅助加热器产生的温度场在晶体生长的初始阶段控制成使得朝向坩埚的侧壁的单晶生长速度小于沿着纵向向下的单晶生长速度。
5.根据权利要求1所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,进一步包括:
温控部件,所述温控部件设置在所述坩埚的底部中央。
6.根据权利要求5所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,所述温控部件为温度可调节的加热器。
7.根据权利要求5所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,进一步包括:
称重单元,所述称重单元连接至所述籽晶夹头,用于称取晶体的重量,所述温控部件和/或所述主加热器基于称重单元的检测结果被控制加热以防止单晶粘接到坩埚底部和/或侧壁、并在发生粘接时熔化粘接至所述坩埚的单晶。
8.根据权利要求1所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,进一步包括:
第二保温部件,所述第二保温部件设置在所述主加热器与所述主体之间;
第三保温部件,所述第三保温部件设在所述坩埚底部与所述主体之间。
9.根据权利要求8所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,所述第二保温部件为热反射屏和/或保温层,以及
所述第三保温部件为热反射屏和/或保温层。
10.根据权利要求2或9所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,所述热反射屏由钨、钼、钨钼合金或石墨形成,所述保温层由保温碳毡形成。
11.根据权利要求1所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,所述冷却介质为水或者氦气。
12.根据权利要求1所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,所述主加热器由钨、钨钼合金或石墨形成。
13.根据权利要求1所述的制造单晶锭的装置,其特征在于,所述单晶锭为蓝宝石晶锭。
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