[发明专利]一种黑硅钝化方法

权利要求书

1.一种黑硅钝化方法，其特征在于，所述方法包括：

将利用等离子体浸没离子注入技术制备的黑硅放置于钝化装置的腔室内；

调整所述钝化装置工艺参数达到预设定的工作范围，向所述钝化装置通入混合气体，所述混合气体包括反应气体；

利用等离子体增强化学气相沉积，在所述黑硅表面沉积钝化薄膜。

2.如权利要求1所述的黑硅钝化方法，其特征在于，所述利用等离子体增强化学气相沉积，在所述黑硅表面沉积钝化薄膜的步骤具体包括：

在等离子体电源的作用下，所述混合气体在所述钝化装置中放电产生等离子体；

所述反应气体在等离子体气氛中发生反应，生成物沉积在所述黑硅表面形成钝化薄膜。

3.如权利要求1所述的黑硅钝化方法，其特征在于：所述工艺参数包括腔室的本底压强和工作压强，样片台的温度，混合气体的流量、比例，抽取气体的速度，以及等离子体电源的输出功率和频率。

4.如权利要求3所述的黑硅钝化方法，其特征在于：所述腔室的本底压强范围为10^-12Pa～1Pa，工作压强范围为10^-3Pa～10000Pa，样片台的温度范围为10～1000℃，等离子体电源的输出功率为0～2000w，频率为13.56MHz。

5.如权利要求1或2所述的黑硅钝化方法，其特征在于：所述钝化薄膜为氮化硅或氧化硅薄膜。

6.如权利要求5所述的黑硅钝化方法，其特征在于：当利用等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜钝化黑硅时，所述反应气体包括硅烷和氨气，或硅烷和氮气；所述硅烷气体流量为1～1000sccm，所述氨气或氮气气体流量为1～1000sccm，所述硅烷与氨气或氮气的体积比为0.01～100。

7.如权利要求5所述的黑硅钝化方法，其特征在于：当利用等离子体增强化学气相沉积氧化硅薄膜钝化黑硅时，所述反应气体包括硅烷和笑气；所述硅烷气体流量为1～1000sccm，所述笑气气体流量为1～1000sccm，所述硅烷与笑气的体积比为0.01～100。

8.如权利要求6或7所述的黑硅钝化方法，其特征在于：所述混合气体中还包括稀释气体，用来稀释所述硅烷；所述稀释气体为氩气、氦气、氮气和氢气中的一种或多种。